[发明专利]一种有机双极型场效应晶体管及其制备方法

摘要

一种有机双极型场效应晶体管，为在Al源、漏电极与P型有机半导体层之间插入V2O5修饰层的底栅中间接触结构，由衬底、栅电极、电介质绝缘层、P型有机半导体层、V2O5修饰层、Al源、Al漏电极和N型有机半导体层组成并依次叠加；其制备方法为：在玻璃衬底氧化铟锡栅电极上，甩膜旋涂绝缘层，在绝缘层上蒸镀P型有机半导体层，再利用掩膜板先后蒸镀V2O5修饰层和金属源、漏电极，最后在复合电极上蒸镀N型有机半导体层。本发明的优点：该结构器件可减小源、漏电极与P型有机半导体层之间的接触势垒，提高空穴的注入能力，实现良好平衡的双极型电流输出特性，是制备低成本、高性能的双极型有机场效应管较为简单适用的方法。

主权项

一种有机双极型场效应晶体管，其特征在于：为在Al源、漏电极与P型有机半导体层之间插入V2O5修饰层的底栅中间接触结构，由衬底、栅电极、电介质绝缘层、P型有机半导体层、V2O5修饰层、Al源、Al漏电极和N型有机半导体层组成并依次叠加，其中N型有机半导体层截面呈T型并分别与Al源、Al漏电极、V2O5修饰层和P型有机半导体层接触；所述衬底为玻璃；所述栅电极为氧化铟锡（ITO），电阻为10Ω/□，厚度为0.7cm；所述电介质绝缘层为有机物PMMA,Mw为996，000，厚度为390nm；所述P型有机半导体层为并五苯（Pentacene），纯度为99.99%，厚度为20nm；所述修饰层为过渡金属氧化物V2O5，纯度99.9%，厚度为10nm；所述N型有机半导体层为C60，纯度为99.9%，厚度为30nm。