[发明专利]半导体发光器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210375368.7 | 申请日： | 2012-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN102891232A | 公开（公告）日： | 2013-01-23 |
| 发明（设计）人： | 郭恩卿;伊晓燕;王国宏;刘志强 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/04;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体发光器件及其制造方法。该半导体发光器件，包括：第二电极；第一掺杂类型的第一半导体层，与第二电极电性连接；有源层，形成于第一半导体层上；第二掺杂类型的第二半导体层，形成于有源层上；第一掺杂类型的第一简并半导体层，形成于第二半导体层上；第二掺杂类型的第二简并半导体层，形成于第一简并半导体层上；第一电极，与第二简并半导体层电性连接。本发明通过在半导体发光器件插入正偏的隧穿pn结，大幅增强功率型半导体发光器件的电流分布均匀性，解决电流集边效益。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体发光器件，其特征在于，包括：第二电极；第一掺杂类型的第一半导体层(31)，与所述第二电极电性连接；有源层(50)，形成于所述第一半导体层(31)上；第二掺杂类型的第二半导体层(61)，形成于所述有源层(50)上；第一掺杂类型的第一简并半导体层(42)，形成于所述第二半导体层(61)上；第二掺杂类型的第二简并半导体层(41)，形成于所述第一简并半导体层(42)上；第一电极，与所述第二简并半导体层(41)电性连接；其中，所述第一掺杂类型和第二掺杂类型分别为p型掺杂和n型掺杂中的一种；所述第一简并半导体层(42)与所述第二简并半导体层(41)的界面处形成第一隧穿pn结；所述第二半导体层(61)与所述第一简并半导体层(42)的界面处形成第二隧穿pn结。
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