[发明专利]叠层封装件结构及其形成方法有效

专利信息
申请号: 201210365144.8 申请日: 2012-09-26
公开(公告)号: CN103377955A 公开(公告)日: 2013-10-30
发明(设计)人: 余振华;李明机;刘重希;陈孟泽;林威宏;郑明达 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;H01L23/498
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;孙征
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 所述的形成叠层封装件(PoP)结构的机构的实施例包括将具有非焊料金属球的连接件接合至封装衬底。非焊料金属球可以包括焊料涂覆层。具有非焊料金属球的连接件可以基本上保持连接件的形状并且控制上封装件和下封装件之间的接合结构的高度。具有非焊料金属球的连接件不太可能导致连接件之间的桥接或者接合连接件的断路(虚焊)。结果,具有非焊料金属球的连接件的间距可保持很小。本发明还包括叠层封装件结构的形成方法。
搜索关键词: 封装 结构 及其 形成 方法
【主权项】:
一种形成半导体器件封装件的方法,包括:提供具有接触焊盘的衬底;将金属球接合至所述接触焊盘以形成第一接合结构;将半导体管芯接合至所述衬底,其中,所述半导体管芯被设置为与所述第一接合结构相邻;将管芯封装件接合至所述衬底与所述半导体管芯接合的表面,其中,接合所述管芯封装件在所述管芯封装件上的连接件和接合至所述衬底的所述金属球之间形成第二接合结构;在所述衬底上形成模制底部填充物(MUF);以及将包括接合至所述衬底的所述管芯封装件和所述半导体管芯的所述半导体器件与所述衬底的剩余部分分割开。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210365144.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top