[发明专利]沟槽结构的制造方法

摘要

本发明公开了一种沟槽结构的制造方法，包括在一基板上形成一缓冲层及位于缓冲层上的一硬式掩模层。在硬式掩模层上定义出至少一第一开口区及多个第二开口区，其中第一开口区大于每一第二开口区。对第一开口区及第二开口区实施一第一蚀刻工艺，以在缓冲层内形成对应第一开口区的一第一凹口及对应第二开口区的多个第二凹口。对第一凹口及第二凹口实施一第二蚀刻工艺，以在基板内形成对应第一凹口的一第一沟槽结构及对应第二凹口的多个第二沟槽结构，其中第一沟槽结构与第二沟槽结构的深度大抵相同。本发明可以提高半导体装置的良率。

主权项

一种沟槽结构的制造方法，包括下列步骤：在一基板上形成一缓冲层及位于该缓冲层上的一硬式掩模层；在该硬式掩模层上定义出至少一第一开口区及多个第二开口区，其中该第一开口区大于每一第二开口区；对该第一开口区及所述多个第二开口区实施一第一蚀刻工艺，以在该缓冲层内形成对应该第一开口区的一第一凹口及对应所述多个第二开口区的多个第二凹口；及对该第一凹口及所述多个第二凹口实施一第二蚀刻工艺，以在该基板内形成对应该第一凹口的一第一沟槽结构及对应所述多个第二凹口的多个第二沟槽结构，其中该第一沟槽结构与该第二沟槽结构的深度大抵相同。