[发明专利]沟槽结构的制造方法

权利要求书

1.一种沟槽结构的制造方法，包括下列步骤：

在一基板上形成一缓冲层及位于该缓冲层上的一硬式掩模层；

在该硬式掩模层上定义出至少一第一开口区及多个第二开口区，其中该第一开口区大于每一第二开口区；

对该第一开口区及所述多个第二开口区实施一第一蚀刻工艺，以在该缓冲层内形成对应该第一开口区的一第一凹口及对应所述多个第二开口区的多个第二凹口；及

对该第一凹口及所述多个第二凹口实施一第二蚀刻工艺，以在该基板内形成对应该第一凹口的一第一沟槽结构及对应所述多个第二凹口的多个第二沟槽结构，其中该第一沟槽结构与该第二沟槽结构的深度大抵相同。

2.如权利要求1所述的沟槽结构的制造方法，还包括在该硬式掩模层上形成一抗反射层。

3.如权利要求2所述的沟槽结构的制造方法，其中该抗反射层包括钛、二氧化钛、氮化钛、碳、氧化铬或其组合。

4.如权利要求1所述的沟槽结构的制造方法，其中该缓冲层包括氮化硅。

5.如权利要求4所述的沟槽结构的制造方法，其中该缓冲层的厚度为10-50埃。

6.如权利要求1所述的沟槽结构的制造方法，其中该硬式掩模层包括金属、外延硅、硅化钛、硅硼玻璃或其组合。

7.如权利要求1所述的沟槽结构的制造方法，其中该第一蚀刻工艺为一反应性离子蚀刻工艺。

8.如权利要求1项所述的沟槽结构的制造方法，其中该第二蚀刻工艺为一反应性离子蚀刻工艺。

9.如权利要求1所述的沟槽结构的制造方法，其中该第一开口区为一疏离开口区，且该第二开口区为一密集开口区。

10.如权利要求1所述的沟槽结构的制造方法，其中该第一沟槽结构与该第二沟槽结构的深度差异为3-5埃。