[发明专利]用于场效应晶体管的结构和方法有效
| 申请号： | 201210337238.4 | 申请日： | 2012-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN103515437A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 廖忠志 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供半导体结构的一个实施例，该半导体结构包括半导体衬底；形成在半导体衬底中的浅沟槽隔离(STI)部件，其中STI部件是连续隔离部件并且包括位于第一区域中的第一部分和位于第二区域中的第二部分，STI部件的第一部分相对于STI部件的第二部分凹陷；位于半导体衬底中且邻接STI部件的有源区；设置在有源区上且在第一方向上延伸至STI部件的第一区域的栅极堆叠件；形成在有源区中并且栅极堆叠件介于其间的源极和漏极部件；以及形成在有源区中且在第二方向上在源极和漏极部件之间延伸的沟道，第二方向不同于第一方向。沟道包括在第一方向上具有宽度W的顶部和高度H均小于宽度W的两个侧部。本发明提供了用于场效应晶体管的结构和方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 场效应 晶体管 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：半导体衬底；浅沟槽隔离(STI)部件，形成在所述半导体衬底中，其中，所述STI部件是连续隔离部件并且包括位于第一区域中的第一部分和位于第二区域中的第二部分，其中，所述STI的第一部分相对于所述STI部件的第二部分凹陷；有源区，位于所述半导体衬底中且邻接所述STI部件；栅极堆叠件，设置在所述有源区上且在第一方向上延伸至所述STI部件的第一区域；源极和漏极部件，形成在所述有源区中，并且所述栅极堆叠件介于所述源极和漏极部件之间；以及沟道，形成在所述有源区中并且在第二方向上在所述源极和漏极部件之间延伸，所述第二方向不同于所述第一方向，其中，所述沟道包括在所述第一方向上具有宽度W的顶部和高度H均小于宽度W的两个侧部。
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