[发明专利]用于具有高K和金属栅极结构的MOSFET的结构和方法有效
| 申请号： | 201210335590.4 | 申请日： | 2012-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN103107198A | 公开（公告）日： | 2013-05-15 |
| 发明（设计）人： | 林志忠;孙韵茹;张世勋;陈嘉仁;山本知成;郭志伟;孙孟毅;丁国强 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构。该半导体结构包括：半导体衬底；和设置在半导体衬底上的栅极堆叠件。栅极堆叠件包括高k介电材料层；设置在高k介电材料层上的覆盖层；以及设置在覆盖层上的金属层。覆盖层和高k介电材料层具有基础结构。本发明还公开了用于具有高K和金属栅极结构的MOSFET的结构和方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 具有 金属 栅极 结构 mosfet 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：半导体衬底；和设置在所述半导体衬底上的栅极堆叠件，所述栅极堆叠件包括：高k介电材料层；设置在所述高k介电材料层上的覆盖层；设置在所述覆盖层上的金属层，其中，所述覆盖层和所述高k介电材料层具有基础结构。
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