[发明专利]层叠型半导体装置的制作方法和制作装置有效

专利信息
申请号: 201210320573.3 申请日: 2012-08-31
公开(公告)号: CN102969264A 公开(公告)日: 2013-03-13
发明(设计)人: 芳村淳;大沟尚子 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01L21/683 分类号: H01L21/683;H01L21/50
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 陈海红;段承恩
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种保持半导体芯片间的粘接可靠性,并抑制吸附托架的脱离不良等的发生的层叠型半导体装置的制作方法。在实施方式的制作方法中,曝光并显影在半导体晶片1的电路面1a形成的感光性表面保护膜兼粘接剂层2形成的开口部之后,切断半导体晶片1,制作具有感光性表面保护膜兼粘接剂层2的半导体芯片7。由吸附托架9保持并拾取第2半导体芯片7B之后,通过第1感光性表面保护膜兼粘接剂层2A将第2半导体芯片7B与第1半导体芯片7A粘接。吸附托架9具有对第2半导体芯片7A的紧贴力比半导体芯片7A、7B间的紧贴力更低的吸附面9a。
搜索关键词: 层叠 半导体 装置 制作方法 制作
【主权项】:
一种层叠型半导体装置的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:在半导体晶片的电路面形成感光性表面保护膜兼粘接剂层,其中上述半导体晶片包括多个芯片区域、和划分上述多个芯片区域的切割区域,并在上述多个芯片区域的上述电路面分别形成电极焊盘;将上述感光性表面保护膜兼粘接剂层曝光并显影,在上述感光性表面保护膜兼粘接剂层形成使上述电极焊盘及上述切割区域露出的开口部;在上述半导体晶片的非电路面粘贴支持片,并沿着上述切割区域切断上述半导体晶片,制作将上述多个芯片区域单片化并具有上述感光性表面保护膜兼粘接剂层的半导体芯片;将第1半导体芯片由吸附托架保持并从上述支持片拾取之后,将上述第1半导体芯片粘接在电路基础材料上;将第2半导体芯片由上述吸附托架保持并从上述支持片拾取之后,经由在上述第1半导体芯片的电路面形成的第1感光性表面保护膜兼粘接剂层,在加热了的上述第1半导体芯片上配置上述第2半导体芯片,将上述第1半导体芯片和上述第2半导体芯片粘接;和电连接上述电路基础材料的连接部和上述第1及第2半导体芯片的上述电极焊盘;其中,上述吸附托架具有对上述第2半导体芯片的紧贴力比上述第1半导体芯片和上述第2半导体芯片间的紧贴力更低的吸附面。
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