[发明专利]SCR型LDMOS ESD器件有效
| 申请号： | 201210316646.1 | 申请日： | 2012-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN102832233A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 王源;张鹏;曹健;陆光易;贾嵩;张兴 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及集成电路的静电放电保护技术领域，公开了一种SCR型LDMOS ESD器件。本发明的SCR型LDMOS ESD器件的N阱区设有P+掺杂区，使得在SCR型LDMOS ESD器件的背向形成寄生的SCR晶体管。当ESD冲击发生时，寄生的SCR晶体管作为主要静电放电器件，使得SCR型LDMOS ESD器件的单位面积静电放电电流增大，从而获得高的ESD保护水平。另外，本发明的SCR型LDMOSESD器件的触发电压由LDMOS晶体管的漂移区长度决定，实现了触发电压可调节。 | ||
| 搜索关键词： | scr ldmos esd 器件 | ||
【主权项】：
一种SCR型LDMOS ESD器件，其特征在于，所述SCR型LDMOS ESD器件包括衬底区、阱区和栅区；所述阱区形成于所述衬底区上，所述阱区包括P阱区和N阱区，所述N阱区邻接所述P阱区，所述P阱区和N阱区均与所述衬底区相接触；所述P阱区设有第一P+掺杂区和第一N+掺杂区；所述N阱区设有浅槽隔离STI区、第二N+掺杂区和第二P+掺杂区；所述栅区形成于所述阱区上，所述栅区包括栅氧化层区和多晶硅栅区，栅氧化层区设于部分所述P阱区、部分所述N阱区和部分所述STI区的上表面，所述多晶硅栅区设于栅氧化层区上；所述多晶硅栅区上设有栅电极，所述第一P+掺杂区上设有衬底接触电极，所述第一N+掺杂区上设有源电极，所述第二N+掺杂区上设有漏电极，所述第二P+掺杂区上设有P+扩散区电极。
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