[发明专利]半导体装置的制造方法以及接合装置无效
申请号: | 201210308848.1 | 申请日: | 2012-08-27 |
公开(公告)号: | CN103199028A | 公开(公告)日: | 2013-07-10 |
发明(设计)人: | 井本孝志;石田胜广;蒋田英雄;渡边昭吾;佐野雄一;谷本亮;安藤善康;武部直人;岩本正次;竹本康男 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/48 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 陈海红;段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供能够既抑制成本又降低噪声、并且既确保金属线与焊盘的连接强度又顺畅连续地进行接合的半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法,通过毛细管以及能够切换成闭合状态和打开状态的线夹,用线连接在基板上形成的基板侧电极焊盘和在芯片上形成的芯片侧电极焊盘。通过化学镀在基板侧电极焊盘的最表层形成镀金。使毛细管移动至越过线对基板侧电极焊盘接合的一次接合的位置的正上方的位置为止,接着对基板侧电极焊盘进行线的一次接合。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 制造 方法 以及 接合 | ||
【主权项】:
一种半导体装置的制造方法,通过从顶端供给金制的线的毛细管以及能够切换为夹持所述线的闭合状态和开放所述线的打开状态的线夹,用所述线连接在基板的第一面上形成的基板侧电极焊盘与在搭载于所述基板的第一面上的芯片上形成的芯片侧电极焊盘,其中,通过化学镀在所述基板侧电极焊盘上形成镀镍,通过化学镀在所述镀镍上形成镀钯,通过化学镀在成为所述镀钯之上的最表层形成镀金,使所述毛细管接近所述芯片,以将所述线的一端连接于所述芯片侧电极焊盘,在所述线夹的打开状态下,使所述毛细管向所述芯片上方移动,使所述毛细管向朝向所述基板侧电极焊盘的第1方向移动,使所述毛细管接近所述基板侧电极焊盘以将所述线一次接合于所述基板侧电极焊盘,使所述毛细管移动,以在与所述一次接合的位置相比向所述第1方向移动了的位置将所述线二次接合于所述基板侧电极焊盘,使所述毛细管向所述基板上方移动,将所述线夹切换为闭合状态,使所述毛细管向所述基板的更上方移动,所述毛细管向所述第1方向的移动,进行至越过所述一次接合的位置的正上方的位置为止,所述一次接合,使所述毛细管边向与所述第1方向相反的第2方向移动边接近所述基板侧电极焊盘而进行。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造