[发明专利]半导体装置的制造方法以及接合装置无效
申请号: | 201210308848.1 | 申请日: | 2012-08-27 |
公开(公告)号: | CN103199028A | 公开(公告)日: | 2013-07-10 |
发明(设计)人: | 井本孝志;石田胜广;蒋田英雄;渡边昭吾;佐野雄一;谷本亮;安藤善康;武部直人;岩本正次;竹本康男 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/48 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 陈海红;段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 制造 方法 以及 接合 | ||
技术领域
本发明涉及半导体装置的制造方法以及接合装置。
背景技术
以往,已知在形成有布线层的基板上载置了控制器芯片和/或存储器芯片等芯片而成的半导体装置。在这样的半导体装置中,通过将在基板上设置的电极焊盘与在芯片上设置的电极焊盘用金属线连接(下面也之称为接合(bonding)),使基板与芯片相互电连接。
在这样的半导体装置中,伴随通信速度的高速化,而期望既抑制成本又降低噪声。另外,有时在形成于基板的电极焊盘的表面,形成镀金。因此,期望抑制金的使用量以实现成本的抑制。另外,即使在抑制金的使用量而导致焊盘部分的镀金变薄的情况下,仍期望既确保金属线与焊盘的连接强度,又顺畅连续地进行接合。
发明内容
本发明的目的在于提供能够既抑制成本又降低噪声、并且既确保金属线与焊盘的连接强度又顺畅连续地进行接合的半导体装置的制造方法。
根据本发明的一个方式,提供一种半导体装置的制造方法,通过从顶端供给金制的线的毛细管以及能够切换为夹持线的闭合状态和开放线的开放状态的线夹,用线连接在基板的第一面上形成的基板侧电极焊盘和在搭载于基板的第一面上的芯片上形成的芯片侧电极焊盘。半导体装置的制造方法包括如下步骤。通过化学镀在基板侧电极焊盘上形成镀镍。通过化学镀在镀镍上形成镀钯。通过化学镀在成为镀钯之上的最表层形成镀金。使毛细管接近芯片,以将线的一端连接于芯片侧电极焊盘。在线夹的打开状态下,使毛细管向芯片上方移动,使毛细管向朝向基板侧电极焊盘的第1方向移动。毛细管向第1方向的移动,进行至越过一次接合的位置的正上方的位置为止。一边使毛细管向与第1方向相反的第2方向移动一边使其接近基板侧电极焊盘,以将线一次接合于基板侧电极焊盘。在与一次接合的位置相比向第1方向移动了的位置对线进行二次接合。使毛细管向基板上方移动,将线夹切换成闭合状态,使毛细管向基板的更上方移动。
附图说明
图1表示第1实施方式所涉及的接合装置的概略结构的图。
图2是表示用图1所示的接合装置制造的半导体装置的一例的图。
图3是放大了基板的基板侧电极焊盘部分的局部放大俯视图。
图4是沿着图3所示的A-A线的剖视图。
图5是用于说明接合顺序的流程图。
图6是线被接合的部分的剖视图,是表示接合的一个步骤的图。
图7是线被接合的部分的剖视图,是表示接合的一个步骤的图。
图8是线被接合的部分的剖视图,是表示接合的一个步骤的图。
图9是线被接合的部分的剖视图,是表示接合的一个步骤的图。
图10是线被接合的部分的剖视图,是表示接合的一个步骤的图。
图11是线被接合的部分的剖视图,是表示接合的一个步骤的图。
图12是线被接合的部分的剖视图,是表示接合的一个步骤的图。
图13是线被接合的部分的剖视图,是表示接合的一个步骤的图。
图14是线被接合的部分的剖视图,是表示接合的一个步骤的图。
图15是线被接合的部分的剖视图,是表示接合的一个步骤的图。
图16是线被接合的部分的剖视图,是表示接合的一个步骤的图。
图17是线被接合的部分的剖视图,是表示接合的一个步骤的图。
图18是表示线与基板侧电极焊盘的接合强度的图。
图19是表示线与基板侧电极焊盘的接合强度的图。
符号说明
1控制部;2存储部;3毛细管;3a贯穿孔;4线夹;5基板;5a第一面;6基板侧电极焊盘;7控制器(芯片);8芯片侧电极焊盘;9存储器芯片;10芯片侧电极焊盘;11线;12树脂模制部;13布线图形;14保护膜;20球;21一次接合点;22二次接合点;31第1层;32第2层;33第3层;50接合装置;60半导体装置。
具体实施方式
下面参照附图,详细说明本发明的实施方式所涉及的半导体装置及其制造方法。此外,本发明不由实施方式限定。
(第1实施方式)
图1是表示第1实施方式所涉及的接合装置的概略结构的图。接合装置50包括控制部1、存储部2、毛细管3和线夹4。图2是表示用图1所示的接合装置制造的半导体装置的一例的图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造