[发明专利]半导体结构的形成方法以及VDMOS晶体管的形成方法在审
| 申请号： | 201210303979.0 | 申请日： | 2012-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN102856210A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 楼颖颖 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件的形成方法以及VDMOS晶体管的形成方法，所述半导体器件的形成方法包括提供衬底以及位于衬底上的介质层；在所述介质层表面形成光刻胶层；对所述光刻胶层进行曝光显影，同时形成沟槽图形和位于沟槽图形两侧的通孔图形；以光刻胶层为掩模，沿沟槽图形和通孔图形刻蚀介质层，至露出衬底，形成沟槽以及通孔；形成覆盖通孔开口的掩膜层；以光刻胶层和掩膜层为掩模，沿沟槽刻蚀所述衬底，使沟槽达到预定深度。本发明半导体结构的形成方法减少了掩模的使用次数，提高所形成半导体结构的成品率和器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 以及 vdmos 晶体管 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底以及位于衬底上的介质层；在所述介质层表面形成光刻胶层；对所述光刻胶层进行曝光显影，同时形成沟槽图形和位于沟槽图形两侧的通孔图形；以光刻胶层为掩模，沿沟槽图形和通孔图形刻蚀介质层，至露出衬底，形成沟槽以及通孔；形成覆盖通孔开口的掩膜层；以光刻胶层和掩膜层为掩模，沿沟槽刻蚀所述衬底，使沟槽达到预定深度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
