[发明专利]半导体结构的形成方法以及VDMOS晶体管的形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底以及位于衬底上的介质层；

在所述介质层表面形成光刻胶层；

对所述光刻胶层进行曝光显影，同时形成沟槽图形和位于沟槽图形两侧的通孔图形；

以光刻胶层为掩模，沿沟槽图形和通孔图形刻蚀介质层，至露出衬底，形成沟槽以及通孔；

形成覆盖通孔开口的掩膜层；

以光刻胶层和掩膜层为掩模，沿沟槽刻蚀所述衬底，使沟槽达到预定深度。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述掩膜层的材质为有机聚合物。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，刻蚀所述介质层的方法为干法刻蚀。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，使沟槽达到预定深度之后，还包括：

在所述沟槽内填充满第二材料层；

去除所述掩膜层；

在所述通孔内填充满第一材料层。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二材料层为多晶硅。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述沟槽内填充满第二材料层的方法为选择性外延生长工艺。

7.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述沟槽内填充满第二材料层之前，还包括：形成覆盖沟槽的底部和侧壁的绝缘层。

8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述绝缘层的材质为氧化硅，形成所述绝缘层的方法为热氧化工艺或者化学气相沉积工艺。

9.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一材料层为铜或者铝硅铜。

10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述通孔内填充满第一材料层的方法为物理气相沉积工艺或者化学气相沉积工艺。

11.一种VDMOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底由下至上依次包括漏极金属层、第二扩散层、外延层、体区和第一扩散层；

在所述第一扩散层上由下至上依次形成介质层和光刻胶层；

对所述光刻胶层进行曝光显影，同时形成沟槽图形和位于沟槽图形两侧的通孔图形；

以光刻胶层为掩模，沿沟槽图形和通孔图形刻蚀介质层，至露出衬底，形成沟槽以及通孔；

形成覆盖通孔开口的掩膜层；

以光刻胶层和掩膜层为掩模，沿沟槽刻蚀所述衬底，使沟槽达到预定深度；

在所述沟槽和通孔内分别填充满第二材料层和第一材料层，形成栅极以及与第一扩散层连接的源极金属层。