[发明专利]用于LED芯片的衬底及其制备方法有效
| 申请号： | 201210292875.4 | 申请日： | 2012-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN102790151A | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 丁海生;李东昇;马新刚;江忠永;张昊翔;王洋;李超 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰明芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种用于LED芯片的衬底及其制备方法，该用于LED芯片的衬底包括主体，所述主体上设置有若干分区；每一所述分区上均具有用于控制反射光相位分布的三维纳米阶梯结构，所述三维纳米阶梯结构具有若干不同深度的阶梯。同时本发明提供该衬底的制备方法，包括：提供无图形衬底；以所述分区为单位，设计具有控制反射光相位分布的仿真微结构；将所述仿真微结构转化为仿真三维纳米阶梯结构；将设计好的仿真三维纳米阶梯结构制备到所述无图形衬底的各分区上，形成用于LED芯片的衬底。本发明制备的用于LED芯片的衬底解决了现有的衬底不能控制反射光相位分布等问题，提高了LED芯片的出光量，提高了LED芯片的亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 led 芯片 衬底 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于LED芯片的衬底，其特征在于，包括：主体，所述主体上设置有若干分区；每一所述分区上均具有用于控制反射光相位分布的三维纳米阶梯结构，所述三维纳米阶梯结构具有若干不同深度的阶梯。
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