[发明专利]多重栅晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201210284812.4 | 申请日： | 2012-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN103579318A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 陈逸男;徐文吉;叶绍文;刘献文 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张艳杰;张浴月 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种多重栅晶体管及其制造方法，该晶体管包括：一半导体基板；一W形沟槽，位于该半导体基板的一部分内并依照一第一方向延伸；一半导体桥，依照垂直于该第一方向的一第二方向延伸于该半导体基板上，该半导体桥横跨该W形沟槽的一部分并连结该半导体基板，该半导体桥具有一平坦顶面以及一圆弧状底面；一氧化物层，部分地环绕该半导体桥的该平坦顶面与该圆弧状底面的一部分；以及一导电层，依照该第一方向延伸并形成于该半导体基板与该氧化物层上，其中该导电层环绕该氧化物层并部分填入于该W形沟槽内。本发明改善了沟道与栅极间的结合，增加栅极对于沟道势能的控制，有助于短沟道效应的抑制以及微缩金属氧化物半导体晶体管时的表现。 | ||
| 搜索关键词： | 多重 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种多重栅晶体管，其特征在于，包括：一半导体基板；一W形沟槽，位于该半导体基板的一部分内并依照一第一方向延伸；一半导体桥，依照垂直于该第一方向的一第二方向延伸于该半导体基板上，该半导体桥横跨该W形沟槽的一部分并连结该半导体基板，该半导体桥具有一平坦顶面以及一圆弧状底面；一氧化物层，部分地环绕该半导体桥的该平坦顶面与该圆弧状底面的一部分；以及一导电层，依照该第一方向延伸并形成于该半导体基板与该氧化物层上，该导电层环绕该氧化物层并部分地填入于该W形沟槽内。
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