[发明专利]沟槽型栅极及制造方法无效
| 申请号： | 201210271234.0 | 申请日： | 2012-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN103579320A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 柯行飞;李江华;张朝阳 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/49 | 分类号： | H01L29/49;H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽型栅极，其是在传统的屏蔽栅处通过离子注入形成一个PN结，以获得更低的栅极电容，实现器件开关速度的提高和损耗的降低。本发明还公开了所述沟槽型栅极的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 栅极 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽型栅极，沟槽内包含栅极导电多晶硅及屏蔽栅多晶硅，其特征在于：在沟槽内壁下部及底部具有第一栅氧化层，第一栅氧化层半包裹屏蔽栅多晶硅，屏蔽栅多晶硅分为两层，包含位于下部的P型多晶硅，以及位于P型多晶硅之上的N型多晶硅，两层多晶硅互相接触形成PN结；在N型多晶硅之上及沟槽内壁上部具有第二栅氧化层，第二栅氧化层半包裹N型栅极导电多晶硅，将N型栅极导电多晶硅和屏蔽栅多晶硅隔离。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司，未经上海华虹NEC电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210271234.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电解装置的电解槽结构
- 下一篇：一种空间飞网同步发射装置
- 同类专利
- 专利分类
