[发明专利]MOS晶体管器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210264939.X | 申请日： | 2012-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN103579308A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种MOS晶体管器件及其制造方法，所述MOS晶体管具有SiGe/SiC/SiGe/Si或者SiC/SiGe/SiC/Si堆叠的沟道，该沟道可以利用与其下方的半导体衬底界面以及自身各层间界面的晶格失配，向沟道中引入较多应力，因而无需通过在包括栅极结构的器件表面上沉积应力层工艺，就可以极大地提高沟道载流子迁移率，进而提高MOS晶体管器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | mos 晶体管 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种MOS晶体管器件，包括：源区、漏区、位于源区和漏区之间的沟道以及位于沟道上方的栅极结构，其特征在于，所述沟道为四层堆叠结构，所述四层由下至上依次为锗硅层、碳硅层、锗硅层和本征硅层，或者由下至上依次为碳硅层、锗硅层、碳硅层和本征硅层。
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