[发明专利]具有自对准接触孔与硅化物的器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201210262516.4 | 申请日： | 2012-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN103579312A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 谭颖 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L27/115;H01L21/28;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 殷晓雪 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种具有自对准接触孔与硅化物的器件，自对准接触孔的底部直接与硅接触，常规接触孔底部直接与硅化物接触。其制造方法为：在硅片上划分出采用自对准接触孔刻蚀工艺的第一区域和不采用自对准接触孔刻蚀工艺的第二区域。在硅片上淀积用于形成硅化物的金属之前，先在第一区域之上完整覆盖介质保护层。然后形成硅化物。接着去除残留的金属、以及第一区域的介质保护层。最后淀积金属前介质，并在第一区域以自对准刻蚀工艺、在第二区域以常规刻蚀工艺分别形成接触孔。本申请兼顾了自对准接触孔与硅化物两者的优势，又避免了两者所各自存在的缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 对准 接触 硅化物 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种具有自对准接触孔与硅化物的器件，其特征是，所述半导体器件中，以自对准接触孔刻蚀工艺所形成的自对准接触孔的底部直接与硅接触；以常规接触孔刻蚀工艺所形成的接触孔底部直接与硅化物接触，并通过所述硅化物与硅接触。
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