[发明专利]喷墨头加热芯片及其制造方法无效
| 申请号： | 201210251162.3 | 申请日： | 2012-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN103035716A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 庄至顺;吴錴辉 | 申请（专利权）人： | 国际联合科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L27/06;B41J2/01 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种喷墨头加热芯片及其制造方法，该喷墨头加热芯片包括衬底、电阻层、内层介电层、第一介层窗插塞、第二介层窗插塞、保护层及控制元件。内层介电层位于衬底之上。电阻层位于衬底与内层介电层间，且在一长度方向上具有第一端部、第二端部及位于其间的加热区。第一介层窗插塞及第二介层窗插塞分别穿过内层介电层与第一端部及第二端部接触，且第一介层窗插塞及第二介层窗插塞的长度分别为1μm至50μm。第一介层窗插塞边界与加热区在该长度方向上的距离小于5μm，第二介层窗插塞边界与加热区在该长度方向上的距离小于5μm。控制元件与第二介层窗插塞电性连接。 | ||
| 搜索关键词： | 喷墨 加热 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种喷墨头加热芯片，其特征在于其包括：衬底；内层介电层，位于该衬底上；电阻层，位于该衬底与该内层介电层之间，其中该电阻层在一长度方向上具有一第一端部、一第二端部以及位于该第一端部与该第二端部间的加热区；第一介层窗插塞，穿过该内层介电层并与该第一端部接触，其中该第一介层窗插塞的长度为1μm至50μm，且该第一介层窗插塞边界与该加热区在该长度方向的距离小于5μm；第二介层窗插塞，穿过该内层介电层并与该第二端部接触，其中该第二介层窗插塞的长度为1μm至50μm，且该第二介层窗插塞边界与该加热区在该长度方向的距离小于5μm；控制元件，与该第二介层窗插塞电性连接；以及保护层，位于该内层介电层、该第一介层窗插塞、该第二介层窗插塞以及该电阻层上。
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