[发明专利]一种具有ESD保护功能的nLDMOS器件

摘要

一种具有ESD保护功能的nLDMOS器件，属于电子技术领域。本发明在常规nLDMOS器件的漂移区和漏极接触区之间引入制作低压器件的P阱与N阱，迫使ESD电流流经器件更深区域，降低ESD应力下的尖峰功率密度，避免电流集中于器件表面，在大幅改善漏端鸟嘴处的可靠性基础上，改善了器件的散热均匀性，从而提高了器件ESD保护能力。本发明与Bipolar CMOS DMOS工艺兼容，不会不显著增加器件成本。

主权项

一种具有ESD保护功能的nLDMOS器件，包括：N型或P型半导体衬底Sub，位于N型或P型半导体衬底Sub表面的P型半导体基区Pbody，位于N型或P型半导体衬底Sub表面的N型半导体漂移区Ndrift；P型半导体基区Pbody与N型半导体漂移区Ndrift相互接触或彼此分离；P型半导体基区Pbody远离N型半导体漂移区Ndrift的表面具有源极P+接触区和源极N+接触区，源极P+接触区和源极N+接触区通过金属连接并引出作为器件的源极Source；N型半导体漂移区Ndrift远离P型半导体基区Pbody的表面具有漏极N+接触区，漏极N+接触区通过金属引出作为器件的漏极Drain；N型半导体漂移区Ndrift中间部分的表面具有场氧化层Oxide，P型半导体基区Pbody与N型半导体漂移区Ndrift相互靠近部分的表面以及场氧化层Oxide的表面具有栅氧化层，栅氧化层表面是多晶硅栅区，多晶硅栅区通过通过金属引出作为器件的栅极Gate；其特征在于，在漏极N+接触区下方的N型半导体漂移区Ndrift内部还具有一个低压P阱区LVPW和一个低压N阱区LVNW；所述低压P阱区LVPW和低压N阱区LVNW相互接触或彼此分离。