[发明专利]半导体发光元件和发光元件的制造方法有效
| 申请号： | 201210237486.1 | 申请日： | 2006-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN102751402A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 徐大正;李亚儒;杨雅兰;苏英阳 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王景刚 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体发光元件和发光元件的制造方法，半导体发光元件包括：经图案化的基底，包括多个图案，每一該图案包括多个斜面区以及与该多个斜面区相邻接的底部区；半导体缓冲层，形成在该经图案化的基底上；发光叠层，形成在该半导体缓冲层上，该发光叠层包括第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层；和第一电极与第二电极，分别与该第一导电类型半导体层和该第二导电类型半导体层电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体发光元件，包括：经图案化的基底，包括多个图案，每一該图案包括多个斜面区以及与该多个斜面区相邻接的底部区；半导体缓冲层，形成在该经图案化的基底上；发光叠层，形成在该半导体缓冲层上，该发光叠层包括第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层；和第一电极与第二电极，分别与该第一导电类型半导体层和该第二导电类型半导体层电连接；其中该图案上端为圆滑封闭曲线，且该图案底部区大約为三角形。
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