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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]声波元件及其制造方法-CN202210624264.9在审
发明人： 徐大正;陈纬守;锺崇仁;周成泽;王天佑;林峻毅;沈豫俊;郭威庆 -专利权人：晶成半导体股份有限公司
申请日： 2022-06-02 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明公开一种声波元件及其制造方法，其中该声波元件包括：基板；位于基板之上的第一电极；位于第一电极上的压电层；以及位于压电层上的第二电极。基板与第一电极之间具有接合界面。压电层于002晶相的X光绕射图谱中的半高宽介于10arc‑sec至3600arc‑sec之间的范围。
声波元件及其制造方法

[发明专利]整合式发光装置-CN201610339626.4有效
发明人：刘欣茂;谢明勋;陈泽澎;洪盟渊;韩政男;李宗宪;徐大正;吕志强 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2010-07-30 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种整合式发光装置。该整合式发光装置结合了至少一发光元件、包含集成电路区的控制元件以及将发光元件与控制元件电性连接的连接区。经由此结合方式，可以通过集成电路所设计的多样化功能来驱动发光元件，增加整合式发光装置的应用领域。
整合发光装置

[发明专利]发光元件-CN201310246815.3有效
发明人： 徐大正;蔡孟伦 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2008-06-30 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明揭示一种发光元件，包含一外延结构，该外延结构包含：发光层；第一导电型局限层，位于该发光层上；第二导电型局限层，位于该发光层下，其中该第一导电型局限层的厚度不等于该第二导电型局限层的厚度，该发光层所产生的光线的光强度沿该外延结构生长方向分布变化，其中最大光强度位于发光层以外的区域。
发光元件

[发明专利]半导体发光元件和发光元件的制造方法-CN201210237486.1有效
发明人： 徐大正;李亚儒;杨雅兰;苏英阳 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2006-09-08 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体发光元件和发光元件的制造方法，半导体发光元件包括：经图案化的基底，包括多个图案，每一該图案包括多个斜面区以及与该多个斜面区相邻接的底部区；半导体缓冲层，形成在该经图案化的基底上；发光叠层，形成在该半导体缓冲层上，该发光叠层包括第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层；和第一电极与第二电极，分别与该第一导电类型半导体层和该第二导电类型半导体层电连接。
半导体发光元件制造方法

[发明专利]发光元件及其制造方法-CN201210120881.1有效
发明人：姚久琳;徐大正 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2007-12-28 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明公开一具有粗化表面的发光元件及其制造方法。该发光元件包含：一半导体叠层，具有一粗化表面；以及一电极层，形成于该半导体叠层的该粗化表面上；其中，该粗化表面包含一具有第一粗化表面型态的第一区域及一具有第二粗化表面型态的第二区域，其中该第二粗化表面型态大致邻近于该电极层且与该电极层的交界具有一外斜的剖面。
发光元件及其制造方法

[发明专利]发光二极管装置及基板结构的形成方法-CN201110036812.8有效
发明人：杨鸿志;许明祺;徐大正;杨志忠;唐宗毅;陈永升;萧文裕;廖哲浩;沈豫俊;颜胜宏 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2011-01-17 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明揭示一种发光二极管装置及基板结构的形成方法。发光二极管装置包括：基板，具有第一生长表面与相对应于第一生长表面的底面；介电层，设置于第一生长表面上，具有多个开口；多个半导体纳米结构，形成于基板上并突出于上述多个开口；半导体层，形成于上述半导体纳米结构上，具有实质平行于底面的第二生长表面；发光二极管结构，形成于第二生长表面；其中，至少一开口具有第一直径小于250纳米(nm)，一纳米结构相对应于上述至少一开口，且具有大于第一直径的第二直径。
发光二极管装置板结形成方法

[发明专利]整合式发光装置及其制造方法-CN201010243795.0有效
发明人：刘欣茂;谢明勋;陈泽澎;洪盟渊;韩政男;李宗宪;徐大正;吕志强 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2010-07-30 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种整合式发光装置及其制造方法。该整合式发光装置结合了至少一发光元件、包含集成电路的控制元件以及将发光元件与控制元件电性连接的连接区。经由此结合方式，可以通过集成电路所设计的多样化功能来驱动发光元件，增加整合式发光装置的应用领域。
整合发光装置及其制造方法

[发明专利]发光元件及其制作方法-CN201110071462.9无效
发明人：谢明勋;杨鸿志;徐大正;李世昌;颜胜宏;林永翔;张世邦 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2011-03-24 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开一种发光元件及其制作方法，该发光元件包括第一半导体层，第二半导体层以及量子阱层，其中第一半导体层与第二半导体层分别位于量子阱层的相异侧。量子阱层包括了多个彼此分隔的量子阱柱，其中每一个量子阱柱只有一个量子阱。
发光元件及其制作方法

[发明专利]光电元件、背光模块装置和照明装置-CN200810176736.9有效
发明人： 徐大正 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2008-11-20 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种光电元件、背光模块装置和照明装置。该光电元件包括第一发光结构，可发出第一波长光；以及第二发光结构，可发出第二波长光。其中第一发光结构为纳米柱结构，并具有第一有源层，且第一有源层可吸收第二波长光，而产生第一波长光。
光电元件背光模块装置照明

[发明专利]发光元件-CN200810129294.2有效
发明人： 徐大正;蔡孟伦 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2008-06-30 - 公布日： 2010-01-06 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明揭示一种发光元件，至少包含一发光层、一第一导电型局限层以及一第二导电型局限层，其中第一导电型局限层与第二导电型局限的厚度不同，使发光元件中沿外延生长方向的光强度分布曲线的峰值区域与发光层在空间上不相互重叠。
发光元件

[发明专利]发光元件及其制造方法-CN200810100507.9有效
发明人：姚久琳;徐大正 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2008-05-20 - 公布日： 2009-11-25 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开一种发光元件及其制造方法。此元件为半导体元件，包含生长基板，生长基板上依序有n型半导体层、量子阱有源层、p型半导体层等外延结构，再以全像术曝光技术为基础，结合量子阱内部扩散效应，使发光元件的量子阱有源层不需经过蚀刻的工艺，即具有二维空间周期性的介电常数变化或材料组成变化的光子晶体。此光子晶体发光元件不仅能增加内部量子效应，也可增加光取出效率。
发光元件及其制造方法

[发明专利]一种纳米级印模结构及其在发光元件上的应用-CN200810003301.4有效
发明人：姚久琳;徐大正;谢明勋 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2008-01-17 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明公开一种具有纳米结构的印模，其包含：一基板，此一基板可为氧化铝或硅；位于基板上方的一缓冲层，此缓冲层可为氮化镓、金属或介电材料；位于缓冲层上方且具有纳米结构的印模层，此印模层为未掺杂氮化镓或n型氮化镓材料。本发明公开一种具有纳米结构的印模的制造方法，其包含形成一基板；形成一缓冲层，位于该基板之上；以及形成一印模层，位于该缓冲层之上，且其上表面利用有机金属化学气相沉积法或氢氧化钾溶液湿式蚀刻的方法以形成纳米级结构。
一种纳米印模结构及其发光元件应用

[发明专利]分离两种材料系统的方法-CN200810001609.5有效
发明人：李亚儒;徐大正;谢明勋 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2008-01-04 - 公布日： 2009-07-08 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开一种分离两种材料系统的方法，其步骤包含提供一蓝宝石块材；形成一氮化物系统于蓝宝石块材之上；形成至少二条空通道于蓝宝石块材与氮化物系统之间；蚀刻空通道中至少一内表面；及分离蓝宝石块材与氮化物系统。
分离材料系统方法

[发明专利]发光元件及其制造方法-CN200710307437.X有效
发明人：姚久琳;徐大正 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2007-12-28 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开一具有粗化表面的发光元件及其制造方法。该发光元件包含一具有一粗化表面的半导体发光叠层以及一电极形成于该半导体发光叠层上；其中，该粗化表面包含一第一粗化表面型态以及一第二粗化表面型态。该制造方法包括形成一半导体发光叠层于一基板上、形成一电极层于该半导体发光叠层上、热处理该半导体发光叠层、以及湿蚀刻该半导体发光叠层表面使形成一粗化表面。
发光元件及其制造方法

[发明专利]发光装置及其制造方法-CN200810177737.5有效
发明人：谢明勋;徐大正;徐子杰;彭韦智;李亚儒;陈世益;骆武聪;吕志强 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2008-11-14 - 公布日： 2009-05-20 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光装置及其制造方法。该发光装置包含基板、发光叠层和透明连接层。发光叠层位于基板之上，包含第一漫射面。透明连接层位于基板和第一漫射面之间，其中透明连接层的折射率相异于基板的折射率。
发光装置及其制造方法

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