[发明专利]一种鳍式场效应晶体管及其形成方法无效
| 申请号： | 201210206531.7 | 申请日： | 2012-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN103515282A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 韩秋华;三重野文健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种鳍式场效应晶体管及其形成方法，本发明提供的鳍式场效应晶体管，所形成浅沟道隔离的侧壁具有倾斜度，即避免了所形成的浅沟道隔离具有竖直部分，从而也就避免了竖直部分不利于氧化物的填充，造成浅沟道隔离内有空隙的问题。之后对第一鳍式结构进行再加工形成第二鳍式结构，使得第二鳍式结构的第一部分的侧壁垂直于所述浅沟道隔离的表面所在平面，满足鳍式场效应晶体管所需要的结构。最终，大大的提高了器件的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 场效应 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；通过刻蚀工艺在所述衬底上形成多个第一鳍式结构，相邻两个第一鳍式结构之间为隔离沟道；在所述隔离沟道内填充氧化层并刻蚀，形成浅沟道隔离，所述浅沟道隔离的侧壁具有倾斜度，所述浅沟道隔离的表面低于所述第一鳍式结构的上表面；刻蚀所述第一鳍式结构形成第二鳍式结构，所述第二鳍式结构包括第一部分和第二部分，所述第一部分的侧壁垂直于所述浅沟道隔离的表面所在平面。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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