[发明专利]防止金属硅化物桥接的半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种防止金属硅化物桥接的半导体器件的制造方法，通过在所述硬掩膜层中形成沟槽，并在沟槽侧壁依次形成第一侧墙和第二侧墙，去除硬掩膜层后，对所述第一侧墙进行回拉工艺(Pullback)，从而形成上宽下窄的栅极结构，从而在后续进行金属化工艺的过程中，沉积的金属材料层无法停留在栅极结构的部分侧壁上，在所述栅极层上和所述半导体衬底上形成间隔开的金属材料层，从而有效避免金属材料层在所述栅极层中的扩散，导致栅极结构和半导体衬底中的源漏区导通的问题，防止金属硅化物桥接问题，降低半导体器件的失效问题的发生，进而提高半导体器件的良率。

主权项

一种防止金属硅化物桥接的半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成硬掩膜层，所述硬掩膜层中具有沟槽；在所述硬掩膜层及沟槽表面覆盖第一侧墙薄膜；刻蚀所述第一侧墙薄膜，以在所述沟槽的侧壁上形成第一侧墙；在所述硬掩膜层第一侧墙及沟槽表面覆盖第二侧墙薄膜；刻蚀所述第二侧墙薄膜，以在所述沟槽的侧壁上形成第二侧墙，所述第二侧墙覆盖于所述第一侧墙上；在所述沟槽中填充栅极层；去除所述硬掩膜层；对所述第一侧墙进行回拉工艺，从而形成上宽下窄的栅极结构，从而在后续进行金属化工艺的过程中，沉积的金属材料层无法停留在栅极结构的部分侧壁上；在所述半导体衬底及栅极层表面沉积金属材料层，以进行金属化工艺。