[发明专利]制造半导体发光装置的方法

摘要

提供了一种制造半导体发光装置的方法，所述方法包括在半导体生长基底上顺序地生长第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层，以形成发光部件；在所述第二导电类型半导体层上形成支撑部件，以结合到所述发光部件；将所述半导体生长基底与所述发光部件分离；以及将蚀刻气体施加到所述半导体生长基底，以从所述半导体生长基底的表面去除所述第一导电类型半导体层的残留物。

主权项

一种制造半导体发光装置的方法，所述方法包括：在半导体生长基底上顺序地生长第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层，以形成发光部件；通过经由导电粘附层将支撑部件结合到所述第二导电类型半导体层的第一侧上来在所述第一侧上形成所述支撑部件，以将所述支撑部件结合到所述发光部件，所述第一侧与所述第二导电类型半导体层的接触所述活性层的第二侧相对；通过使用所述支撑部件将所述半导体生长基底与所述发光部件分离；以及将蚀刻气体施加到所述半导体生长基底，以从所述半导体生长基底的表面去除所述第一导电类型半导体层的残留物，其中，施加蚀刻气体的步骤包括：将包括在其中沿高度方向装载的多个半导体生长基底的舟皿设置在反应室中，所述多个半导体生长基底中的每个在其上具有余留在相应的表面上的所述第一导电类型半导体层的残留物；将所述反应室的内部进行加热和增压，以使所述多个半导体生长基底暴露于预定的温度和压力条件；以及通过多个气体供给部件将所述蚀刻气体释放到所述反应室中，以从所述多个半导体生长基底的所述相应的表面去除所述第一导电类型半导体层的残留物，其中，所述多个气体供给部件设置为沿着所述舟皿的周缘彼此隔开，所述多个气体供给部件具有与所述反应室的内部沿高度方向划分的相应区域的高度对应的不同高度，其中，释放蚀刻气体的步骤包括：通过具有不同高度的所述多个气体供给部件将所述蚀刻气体释放到在所述反应室的所述内部沿高度方向划分的所述相应区域中。