[发明专利]光器件晶片的加工方法有效
申请号: | 201210199722.5 | 申请日: | 2012-06-14 |
公开(公告)号: | CN102842534A | 公开(公告)日: | 2012-12-26 |
发明(设计)人: | 相川力;远藤智裕;星野仁志 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L33/00;B23K26/36 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供光器件晶片的加工方法,能够不对光设备层施加损伤而去除与被覆在基板的背面上的金属膜的分割预定线对应的区域,该方法在基板表面上层叠光器件层,在由在规定方向延伸的多个第1分割预定线和在与第1分割预定线交叉的方向上形成的多个第2分割预定线划分而成的多个区域形成光器件,在基板的背面上被覆金属膜,包括:从被覆在基板的背面上的金属膜侧对与第1分割预定线对应的区域照射激光光线,通过沿着第1分割预定线去除金属膜,形成第1激光加工槽的第1金属膜去除步骤;以及从被覆在基板的背面上的金属膜侧对与第2分割预定线对应的区域照射激光光线,通过沿着第2分割预定线去除金属膜,形成第2激光加工槽的第2金属膜去除步骤。 | ||
搜索关键词: | 器件 晶片 加工 方法 | ||
【主权项】:
一种光器件晶片的加工方法,在基板的表面层叠光器件层,在由在规定方向上延伸的多个第1分割预定线和在与该第1分割预定线交叉的方向上形成的多个第2分割预定线划分而成的多个区域形成光器件,在该基板的背面被覆了金属膜,由此形成该光器件晶片,该光器件晶片的加工方法的特征在于包括:第1金属膜去除步骤,从被覆在该基板的背面上的金属膜侧对与该第1分割预定线对应的区域照射激光光线,沿着该第1分割预定线去除该金属膜,从而形成第1激光加工槽;以及第2金属膜去除步骤,从被覆在该基板的背面上的金属膜侧对与该第2分割预定线对应的区域照射激光光线,沿着该第2分割预定线去除该金属膜,从而形成第2激光加工槽,在该第2金属膜去除步骤中,将与在该第1金属膜去除步骤中形成的第1激光加工槽之间的交叉区域排除在外而照射激光光线。
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