[发明专利]像素结构、像素结构的制作方法以及有源元件阵列基板

摘要

一种像素结构及其制作方法以及有源元件阵列基板。像素结构由扫描线与数据线驱动。像素结构包括第一图案化金属层，设置于基板上且具共用线与栅极；第一绝缘层，覆盖第一图案化金属层；半导体图案，位于栅极上方第一绝缘层上；第二图案化金属层，设置于第一绝缘层上且具源极与漏极，源极与漏极电连接于半导体图案；第二绝缘层，覆盖第二图案化金属层且具接触窗开口暴露漏极；电极层，设置于第二绝缘层上且具像素电极与共用电极，像素电极经接触窗开口而连接到漏极。共用线、第一绝缘层与像素电极构成第一存储电容。共用线、漏极与共用电极构成三明治结构，共用线、第一绝缘层与漏极构成第二存储电容，漏极、第二绝缘层与共用电极构成第三存储电容。

主权项

一种像素结构，设置于基板上，所述像素结构由扫描线与数据线所驱动，所述像素结构的特征在于包括：第一图案化金属层，设置于所述基板上，所述第一图案化金属层具有共用线与栅极；第一绝缘层，覆盖所述第一图案化金属层；半导体图案，位于所述栅极上方的所述第一绝缘层上；第二图案化金属层，设置于所述第一绝缘层上，所述第二图案化金属层具有源极与漏极，所述源极与所述漏极电连接于所述半导体图案；第二绝缘层，覆盖所述第二图案化金属层，所述第二绝缘层具有接触窗开口暴露出所述漏极；以及电极层，设置于所述第二绝缘层上，所述电极层具有像素电极与共用电极，所述像素电极经由所述接触窗开口而连接到所述漏极，其中，所述共用线、所述第一绝缘层与所述像素电极构成第一存储电容，所述共用线、所述漏极与所述共用电极构成三明治结构，所述共用线、所述第一绝缘层与所述漏极构成第二存储电容，且所述漏极、所述第二绝缘层与所述共用电极构成第三存储电容，部分的所述漏极延伸到所述共用线上方、且重叠于所述共用线上方的所述第一绝缘层上。