[发明专利]一种沟槽终端结构肖特基器件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种沟槽终端结构肖特基器件，本发明的半导体器件具有沟槽结构的终端，将浮空导电层加入到器件的沟槽终端结构中，从而改变器件的边缘电势分布，同时简化了器件的制造流程，使用两次光刻工艺，可以实现器件的生产制造。

主权项

一种沟槽终端结构肖特基器件，其特征在于：包括：衬底层，为半导体材料；漂移层，为第一传导类型的半导体材料，位于衬底层之上；沟槽，位于器件边缘漂移层中，沟槽内壁表面有绝缘材料，临靠沟槽内壁区域设置有第二传导类型半导体材料，临靠沟槽底部为轻掺杂第二传导类型半导体材料，临靠沟槽侧壁为轻掺杂第二传导类型半导体材料，第二传导类型半导体材料表面为欧姆接触；肖特基势垒结，位于漂移层表面，肖特基势垒结边缘临靠第二传导类型半导体材料，被沟槽包围；上表面电极金属，为金属，位于肖特基势垒结和临靠肖特基势垒结第二传导类型半导体材料表面经沟槽侧壁在沟槽底部横向延伸；导电层，为金属，位于器件的边缘，覆盖于器件边缘的第二传导类型半导体材料表面经沟槽侧壁在沟槽底部横向延伸，并且此导电层不与器件上表面的电极金属相连。