[发明专利]一种能保护硼磷硅玻璃层的半导体结构及其制造方法

摘要

本发明涉及一种能保护硼磷硅玻璃层的半导体结构及其制造方法，在硅衬底上形成介电层、形成并刻蚀金属层以后，在半导体结构的划片区域上开设一个保护槽，使其位于半导体结构的芯片区域与划片槽之间，并且与所述芯片区域及划片槽分别有一定的间隔距离；所述保护槽还将从所述芯片区域延伸到划片区域的所述硼磷硅玻璃层和第一氧化物层都切断并延伸到所述硅衬底的顶面，由于将介电层中的硼磷硅玻璃层分为了两个部分，能够有效消减划片时的应力。并且，由于在保护槽内覆盖钝化层以后进一步形成了阻隔，因此能够保护芯片区域的硼磷硅玻璃层不被后段工艺中使用的HF等化学物质侵蚀，提高半导体结构的可靠性。

主权项

一种能保护硼磷硅玻璃层的半导体结构，其特征在于， 所述半导体结构中分为具体实现半导体功能的芯片区域（1），和开设有划片槽（4）的划片区域（2），所述划片槽（4）位于所述划片区域（2）上远离芯片区域（1）的一端；所述半导体结构中包含从所述芯片区域（1）延伸到所述划片区域（2）的硅衬底（10）、利用四乙基正硅酸盐形成的覆盖在所述硅衬底（10）上的第一氧化物层（22），以及覆盖在所述第一氧化物层（22）上的硼磷硅玻璃层（21）；其中，所述第一氧化物层（22）与硼磷硅玻璃层（21）构成为所述半导体结构的介电层（20）；所述半导体结构中还包含开设在所述划片区域（2）上的保护槽（3），所述保护槽（3）位于所述芯片区域（1）与所述划片槽（4）之间，并且与所述芯片区域（1）及划片槽（4）分别有一定的间隔距离；所述保护槽（3）还将从所述芯片区域（1）延伸到划片区域（2）的所述硼磷硅玻璃层（21）和第一氧化物层（22）都切断并延伸到所述硅衬底（10）的顶面。