[发明专利]半导体器件的清洗方法有效
| 申请号： | 201210129476.6 | 申请日： | 2012-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN103377877A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 史爽;詹扬;常延武 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的清洗方法，包括：对刻蚀后的铝铜焊垫执行羟胺基溶剂的第一清洗工序；执行氟基氧化物刻蚀剂的第二清洗工序，以去除金属氧化物和金属卤化物；以及执行去离子水的快排快冲清洗的第三清洗工序。本发明通过在羟胺的第一清洗工序之后执行氟基氧化物刻蚀剂的第二清洗工序，可以去除刻蚀后的铝铜焊垫表面上的金属氧化物和金属卤化物，以避免在潮湿的环境下在铝铜焊垫中形成酸性晶体缺陷源，进而避免对铝铜焊垫形成腐蚀而导致半导体器件失效。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 清洗 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的清洗方法，其特征在于，包括：对刻蚀后的铝铜焊垫执行羟胺基溶剂的第一清洗工序；执行氟基氧化物刻蚀剂的第二清洗工序，以去除金属氧化物和金属卤化物；以及执行去离子水的快排快冲清洗的第三清洗工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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