[发明专利]形成氧化物经封装传导形体的方法无效

专利信息
申请号: 201210124806.2 申请日: 2012-04-25
公开(公告)号: CN102760694A 公开(公告)日: 2012-10-31
发明(设计)人: 刘晃;薛振胜;施继雄 申请(专利权)人: 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768;H01L23/522
代理公司: 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 代理人: 程伟;王锦阳
地址: 新加坡*** 国省代码: 新加坡;SG
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摘要: 发明涉及一种形成氧化物经封装传导形体的方法,提供一种有关以通过实质上均匀的MnO或Al2O3层予以封装的铜或铜合金互连所形成的半导体装置。实施例包含在介电层中形成具有侧表面及底表面的开口,在开口的侧表面和底表面上及介电层的上表面上形成阻障层,以氧气电浆处理阻障层以在阻障层上形成悬垂氧原子,在阻障层上沉积种晶层,以及以铜或铜合金填充开口。
搜索关键词: 形成 氧化物 封装 传导 形体 方法
【主权项】:
一种方法,包括:在介电层中形成具有侧表面及底表面的开口;在该开口的该侧表面及该底表面上和该介电层的上表面上形成阻障层;以氧气电浆处理该阻障层,以在该阻障层上形成悬垂氧原子;在该阻障层上沉积种晶层;以及以铜Cu或铜合金填充该开口,导致在该铜或铜合金的上及底表面上和沿着填充该开口的该铜或铜合金的侧表面形成金属氧化物层。
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