[发明专利]形成氧化物经封装传导形体的方法无效
申请号: | 201210124806.2 | 申请日: | 2012-04-25 |
公开(公告)号: | CN102760694A | 公开(公告)日: | 2012-10-31 |
发明(设计)人: | 刘晃;薛振胜;施继雄 | 申请(专利权)人: | 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L23/522 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 新加坡*** | 国省代码: | 新加坡;SG |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种形成氧化物经封装传导形体的方法,提供一种有关以通过实质上均匀的MnO或Al2O3层予以封装的铜或铜合金互连所形成的半导体装置。实施例包含在介电层中形成具有侧表面及底表面的开口,在开口的侧表面和底表面上及介电层的上表面上形成阻障层,以氧气电浆处理阻障层以在阻障层上形成悬垂氧原子,在阻障层上沉积种晶层,以及以铜或铜合金填充开口。 | ||
搜索关键词: | 形成 氧化物 封装 传导 形体 方法 | ||
【主权项】:
一种方法,包括:在介电层中形成具有侧表面及底表面的开口;在该开口的该侧表面及该底表面上和该介电层的上表面上形成阻障层;以氧气电浆处理该阻障层,以在该阻障层上形成悬垂氧原子;在该阻障层上沉积种晶层;以及以铜Cu或铜合金填充该开口,导致在该铜或铜合金的上及底表面上和沿着填充该开口的该铜或铜合金的侧表面形成金属氧化物层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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