专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]形成半导体装置的方法及半导体装置-CN202210534933.3在审
  • 李亮;王振裕;张宏光;刘晃;辛格·芬尼尔;杨衍 - 芯合半导体有限公司
  • 2022-05-17 - 2023-10-24 - H01L21/77
  • 本发明具体公开了一种形成半导体装置的方法及半导体装置。该半导体装置包括在其基部共同具有掩埋氧化物层(BOX)的第一晶体管组和第二晶体管组,其中该第一晶体管组具有稀土氧化物。该方法包括以下步骤:在用于该第一晶体管组的第一区域和用于该第二晶体管组的第二区域内的BOX上形成鳍图案;依次在该鳍图案上形成绝缘层、在该绝缘层上形成稀土氧化物层、在该稀土氧化物层上形成第一覆盖层以及在该第一覆盖层上形成第一保护层;在该第一区域中设置第一遮罩;去除该第二区域中的该第一保护层、该第一覆盖层、该稀土氧化物层和该绝缘层。
  • 形成半导体装置方法
  • [实用新型]一种家电的控制面板-CN202321322096.4有效
  • 刘晃;黄支文;白健;李佳森;李佳欣;任天天;黄克铭;刘咸丰 - 深圳市时钰电子科技有限公司
  • 2023-05-29 - 2023-09-26 - H05K5/03
  • 本实用新型属于控制面板技术领域,具体公开了一种家电的控制面板,包括家电外壳,所述家电外壳的顶部开设有限位槽,所述限位槽的表面滑动安装有面板本体,所述家电外壳的内侧设置有用于卡住面板本体三角端的卡紧机构,所述家电外壳的上表面固定连接有纵向卡座,所述家电外壳的上表面通过限位机构滑动连接有限位板,所述家电外壳的上方通过盖合机构活动安装有防护盖板。该家电的控制面板,沿着阻尼转轴转动摆条,配合摆板与上下两组联轴可调整防护盖板的位置,在不使用控制面板时让防护盖板盖合在面板本体上方,对其进行有效保护,减少灰尘的侵蚀与误操作的几率,增加控制面板的使用周期。
  • 一种家电控制面板
  • [实用新型]一种电动车的显示屏-CN202321374011.7有效
  • 刘晃;白健;任天天 - 深圳市时钰电子科技有限公司
  • 2023-08-25 - 2023-09-26 - B62J50/22
  • 本实用新型涉及显示屏技术领域,且公开了一种电动车的显示屏,包括电动车,所述电动车车头处设有用于车辆信息显示及用于手机存放的显示存放组件;所述显示存放组件上设有受电动车行驶而受风力作用驱动的风动驱动清理机构。本实用新型提出一种电动车的显示屏,本实用新型通过设有显示存放组件,可用于对手机进行存放,伴随电动车行驶,配合风动驱动清理机构,利用行驶中的气流,以对显示屏和盖板进行清理,增加观看的便捷性。
  • 一种电动车显示屏
  • [实用新型]一种智能手表用保护结构-CN202321306160.X有效
  • 刘晃;任天天;刘咸丰 - 深圳市时钰电子科技有限公司
  • 2023-05-26 - 2023-09-19 - G04B37/18
  • 本实用新型提出了一种智能手表用保护结构,包括两个弧形罩;两个所述弧形罩相对设置,两个所述弧形罩之间设置有自限位的锁定件,两个所述弧形罩之间卡接有手表本体,两个所述弧形罩相对一侧均设置有用于手表本体限位的限位件,所述限位件上连接有膨胀囊,两个所述弧形罩的外周均安装有气囊件,且气囊件用于向膨胀囊供气,当气囊件受力时,膨胀囊迅速膨胀。本实用新型提出了一种智能手表用保护结构,解决了手表在摔落时易损坏的问题。
  • 一种智能手表保护结构
  • [发明专利]一种深远海网箱泵水循环系统-CN202310045561.2在审
  • 谢正丽;张成林;黄一心;李月;高超;刘晃 - 中国水产科学研究院渔业机械仪器研究所
  • 2023-01-30 - 2023-05-02 - A01K61/60
  • 本发明公开了一种深远海网箱泵水循环系统,包括漂浮环、围板和隔虱网一,所述围板设置于所述漂浮环外部,所述围板外部安装有隔板,所述隔虱网一设置于所述隔板底部,所述稳定架表面间隔安装有挡板,所述挡板表面设置有过滤孔。本发明的在使用的过程中,卡板和复位弹簧相互配合下,可以保证主刮板和副刮板在挡板外部进行污泥杂质刮动,进而保证外部海水可以顺利进入挡板内部,进液管上下区域设置的进液斗,可以使得外部海水可以进入进液管,海水同时可以通过喷管表面设置的喷射槽排出,使得喷射槽排出的海水可以冲击隔虱网一表面,进一步的清除隔虱网一表面所附着的污泥和海虱,保证隔虱网一表面洁净,同时进一步保证水循环效果。
  • 一种深远网箱水循环系统
  • [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202211682057.5在审
  • 李亮;王振裕;张宏光;李彦尊;刘晃;林元龙;袁海江;林仲强 - 芯合半导体公司
  • 2022-12-27 - 2023-03-07 - H10B12/00
  • 本发明涉及一种半导体结构及其形成方法,其中,在衬底中形成有深槽电容器,位于所述深槽电容器的内部电极上部的鳍状接触部连接衬底表面的鳍片,形成于所述衬底上的至少一条字线间隔着字线隔离层位于所述内部电极上,所述字线隔离层覆盖所述掩埋氧化物层和所述鳍状接触部之间的所述内部电极且暴露所述鳍片,所述字线隔离层不仅可以起到绝缘隔离所述字线和所述内部电极的作用,并且在进行外延工艺时能够避免所述掩埋氧化物层和所述鳍状接触部之间的所述内部电极暴露而形成外延生长,可以提高半导体结构的可靠性。
  • 半导体结构及其形成方法
  • [实用新型]一种海上三维一体化测量与采集装置-CN202222569309.5有效
  • 刘晃;钱立兵;王志良;刘文勇;江林;于景华 - 广州三海海洋工程勘察设计有限公司
  • 2022-09-28 - 2023-01-13 - G01C21/16
  • 本实用新型属于海洋探测技术领域,一种海上三维一体化测量与采集实现装置,该装置设置有沿垂直轴线由上至下依次布置的惯性测量系统装置、三维激光扫描系统装置和水下点云采集系统装置,三维激光扫描系统装置用于水上扫描探测,惯性测量系统装置用于惯性导航定位,水下点云采集系统装置用于进行水下点云数据采集;本实用新型将惯性测量系统装置、三维激光扫描系统装置和水下点云采集系统装置集成成为一个整体固定的装置,能够同时、同位置、同环境实现海上、海下三维一体的数据采集与测量,能有效的减少设备安装位置的相对误差,测量更加全面精准,测量效率也更高,并且装置结构简单易携带。
  • 一种海上三维一体化测量采集装置
  • [实用新型]自动调速分装台-CN202222685145.2有效
  • 刘晃 - 深圳红太狼科技有限公司
  • 2022-10-12 - 2022-12-27 - B65B57/10
  • 本实用新型属于分装台技术领域,本实用新型具体涉及自动调速分装台,包括:对称设在传送带移动方向上两侧的分装台本体;安装于所述传送带起始端上方的安装架,所述安装架的底部且处于传送带的上方安装有第二摄像头;本实用新型控速机构和控制机构能够实现对传送带速度的调控,第二摄像头对进入传送带上的产品进行计数,通过每个龙门架上第一摄像头对经过该工位的产品进行记录,同时,通过相邻工位之间的距离一定,以及工人两次穿过红外传感器的时间一定,从而通过控制机构调节传送带的实时速度,解决了现有的分装台不能根据工位拿取产品的速度一定进行调整传送带进料速度的问题。
  • 自动调速分装
  • [实用新型]一种声纳船舷安装装置-CN202222660570.6有效
  • 方杰;王鑫;陆长锴;涂纯通;刘晃 - 广州三海海洋工程勘察设计有限公司
  • 2022-10-10 - 2022-12-23 - B63B17/00
  • 本实用新型涉及海洋勘探技术领域,具体为一种声纳船舷安装装置。本实用新型,包括声纳本体,所述声纳本体圆弧面安装有侧扫器,所述声纳本体圆弧面固定连接有传输线,所述声纳本体表面设有调节结构,所述调节结构包括两个固定架,两个所述固定架与声纳本体卡接,两个所述固定架底端螺纹连接有调节栓,两个所述调节栓圆弧面活动连接有支撑架,所述支撑架底端转动连接有转动柱,所述支撑架表面螺纹连接有固定栓,所述固定栓与转动柱抵接。解决了声纳仅通过钢丝绳进行连接,使用时,如果发生钢丝绳断开或钢丝绳与声纳连接不牢固,容易导致声纳沉入海底的问题。
  • 一种声纳船舷安装装置
  • [发明专利]半导体器件的深沟槽上形成鳍型结构的方法-CN202210803940.9在审
  • 李亮;刘春晖;刘晃 - 芯合半导体公司
  • 2022-07-07 - 2022-10-11 - H01L27/108
  • 本发明公开一种在半导体器件的深沟槽上形成鳍型结构的方法,该方法包括如下步骤:提供含有深沟槽以及该深沟槽内的多晶硅的掩埋氧化层;在掩埋氧化层和具有多晶硅栅栏的多晶硅上提供鳍型结构;在鳍型结构上设置第一掩膜;在掩埋氧化层和第一掩膜上设置衬垫层,其中,该衬垫层具有处于鳍型结构上方的第一部分,处于鳍型结构侧面上的第二部分以及处于深沟槽和掩埋氧化层上的第三部分;在衬垫层的第一和第二部分上设置第二掩膜;去除第二掩膜以及衬垫层第三部分,以暴露衬垫层的第一和第二部分;去除多晶硅栅栏,并在侧面上形成侧墙。
  • 半导体器件深沟形成结构方法

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