[发明专利]纵向夹断的面结型场效应晶体管结构及制造方法有效
| 申请号： | 201210101388.5 | 申请日： | 2012-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN103367414A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 金锋;董科 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L29/06;H01L21/335;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种纵向夹断的面结型场效应晶体管结构及制造方法，具有第一导电类型的硅基板上形成第二导电类型的第一阱区，第一阱区的表面形成具有第一导电类型的第二阱区，第二阱区中形成具有第一导电类型的第一有源区，第一阱区外侧的硅基板中形成具有第一导电类型的第二有源区，第一有源区和第二有源区之间由场氧隔离，并通过金属连接形成栅极，第一阱区的一端通过第三有源区形成源端，另一端通过第四有源区形成漏端，第三有源区和第四有源区具有第二导电类型，第一阱区内形成至少一层具有第一导电类型的注入区。本发明可有效控制纵向沟道的长度，从而得到较低的夹断电压，同时还可以变化第一阱区的宽度得到较大的器件电流。 | ||
| 搜索关键词： | 纵向 面结型 场效应 晶体管 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种纵向夹断的面结型场效应晶体管结构，具有第一导电类型的硅基板上形成具有与第一导电类型相反的第二导电类型的第一阱区，所述第一阱区的表面形成具有第一导电类型的第二阱区，所述第二阱区中形成具有第一导电类型的第一有源区，第一阱区外侧的硅基板中形成具有第一导电类型的第二有源区，所述第一有源区和第二有源区之间由场氧隔离，并通过金属连接形成栅极，所述第一阱区的一端通过第三有源区形成源端，第一阱区的另一端通过第四有源区形成漏端，所述第三有源区和第四有源区具有第二导电类型，其特征在于：所述第一阱区内形成至少一层注入区，所述注入区具有第一导电类型。
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