[发明专利]两层半导体器件的制备方法无效
| 申请号： | 201210090253.3 | 申请日： | 2012-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN102610567A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 黄晓橹;张守龙 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明通过采用低温键合、低温剥离的方法，实现下层半导体器件层上的上层半导体层的层转移，然后在上层半导体层中制备上层半导体器件，最后一次性完成上层接触孔和下层接触孔工艺，实现上下两层半导体器件隔离制备方法，工艺简单，有效提高了半导体器件的集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种两层半导体器件的制备方法，其特征在于，步骤包括：步骤1，提供已图形化的下层支撑片（下层器件），提供上层硅片，其中，所述上层硅包括富硼、氢层，并且包括键合层；对图形化的下层支撑片表面以及所述键合层进行活化处理和亲水处理；上层硅键合层与下层支撑片的表面材料均为二氧化硅；步骤2，将上层硅的键合层贴合在处理后的下层支撑片表面，并通过低温键合将上层硅固定在下层支撑片表面；步骤3，通过低温剥离技术，将上层硅从富硼、氢层处断裂剥离，富硼、氢层下方的部分与下层支撑片表面键合连为一体；步骤4，在上层硅层中制备上层半导体器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
