[发明专利]一种半导体器件低温固态键合的方法有效
| 申请号： | 201210086084.6 | 申请日： | 2012-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN102610537A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 陆钦;李明;胡安民;章文婧;陈卓 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01L21/603 | 分类号： | H01L21/603 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 胡晶 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明的半导体器件低温固态键合的方法，包括以下步骤：1）选择具有相互匹配的电互连焊盘的至少两个待键合元件；2）在一待键合元件的多个焊盘上形成铜微针锥群；3）在另一待键合元件的多个焊盘上形成至少表面设有低硬度第二金属层的凸点；4）使所述凸点与所述铜微针锥群接触，将所述凸点与所述铜微针锥群的接触部分加热到第一温度，施加键合压力使所述凸点与所述铜微针锥群电互连键合。与现有技术相比，本发明的工艺过程不需要将温度加热到焊料熔点以上以使焊料熔化，可避免对器件产生热损伤，且固态键合能够提高互连密度和产品可靠性，界面反应可控，无需助焊剂等有机物因而简化了工艺流程。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 低温 固态 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件低温固态键合的方法，其特征在于，包括以下步骤：1）选择具有相互匹配的电互连焊盘的至少两个待键合元件；2）在一待键合元件的多个焊盘上形成铜微针锥群；3）在另一待键合元件的多个焊盘上形成至少表面设有低硬度第二金属层的凸点；4）将所述凸点与所述铜微针锥群匹配，并使所述凸点与所述铜微针锥群接触，将所述凸点与所述铜微针锥群的接触部分加热到第一温度，施加键合压力使所述凸点与所述铜微针锥群电互连键合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
