[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201210057624.8 | 申请日： | 2012-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN102683312A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 倪其聪;王乙翕;李欣桂;苏钦豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60;B81B7/00 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制造集成电路的方法，并且更具体地制造具有金属合金的半导体器件的方法。半导体器件的示例结构包括具有第一触点的第一硅衬底，该第一触点包括在该衬底和第一金属层之间的硅化物层；具有第二触点的第二硅衬底，该第二触点包括第二金属层；以及在第一触点的第一金属层和第二触点的第二金属层之间的金属合金。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：第一硅衬底，具有第一触点，所述第一触点包括在所述衬底和第一金属层之间的硅化物层；第二硅衬底，具有第二触点，所述第二触点包括第二金属层；以及金属合金，所述金属合金在所述第一触点的第一金属层和所述第二触点的第二金属层之间。
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