[发明专利]隔离深沟槽及其高压LED芯片的制造方法有效
| 申请号： | 201210055801.9 | 申请日： | 2012-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN102593284A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 姚陆军;肖德元;张汝京;于洪波 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L27/15 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出一种隔离深沟槽的制造方法，步骤如下：在衬底上形成一掩膜层，通过刻蚀在掩膜层中形成多个相互隔离的窗口，每个窗口底部暴露出衬底；采用选择LED结构外延侧向过生长，在各窗口内及窗口周围的部分掩膜层上分别形成外延结构，每个外延结构具有下宽上窄的梯形截面，且相邻外延结构之间的间隙构成第一深沟槽；对各个外延结构进行刻蚀，在每个外延结构的两侧分别形成第一台阶和第二台阶，在相邻外延结构之间的掩膜层上方形成隔离深沟槽。本发明还提出一种高压LED芯片的制造方法，可降低高压LED芯片内隔离深沟槽制作成本及提高高压LED芯片内隔离深沟槽间绝缘隔离介质层和互联电极层的连续性与致密性互联性能。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离 深沟 及其 高压 led 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种隔离深沟槽的制造方法，包括如下步骤：提供一衬底，在所述衬底表面形成一掩膜层，通过刻蚀在所述掩膜层中形成多个相互隔离的窗口，每个所述窗口底部暴露出衬底；通过选择LED结构外延侧向过生长，在各窗口内及窗口周围的部分掩膜层上分别形成外延结构，每个外延结构具有下宽上窄的梯形截面，且相邻外延结构之间的间隙构成第一深沟槽，所述外延结构由下至上依次包括N型氮化物层、多量子阱层、P型氮化物层；对各个外延结构进行刻蚀，在每个外延结构的两侧分别形成第一台阶和第二台阶，所述第一台阶和第二台阶均贯穿P型氮化物层、量子阱层，停止在掩膜层上的N型氮化物层中，在相邻外延结构之间的掩膜层上方形成隔离深沟槽。
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