[发明专利]TSV转接板的制作方法及TSV转接板有效
| 申请号： | 201210055246.X | 申请日： | 2012-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN103295915A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 边国栋 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种TSV转接板的制作方法及TSV转接板，该方法包括以下步骤：获取衬底；在所述衬底的表面制作牺牲层；利用光刻和刻蚀技术在所述衬底上制作贯穿所述衬底和所述牺牲层的通孔；在所述通孔位置制作导电柱和凸点，所述凸点位于所述导电柱的顶端，而且所述凸点的顶部高出所述牺牲层的上表面；将位于所述牺牲层上表面的材料去除；将位于所述衬底上表面的所述牺牲层去除，从而在所述通孔位置获得凸点。该制作方法不仅简化了工艺流程，从而降低了生产成本，提高了生产效率；而且可以提高TSV转接板的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | tsv 转接 制作方法 | ||
【主权项】：
一种TSV转接板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：获取衬底；在所述衬底的表面制作牺牲层；利用光刻和刻蚀技术在所述衬底上制作贯穿所述衬底和所述牺牲层的通孔；在所述通孔位置制作导电柱和凸点，所述凸点位于所述导电柱的顶端，而且所述凸点的顶部高出所述牺牲层的上表面；将位于所述牺牲层上表面的材料去除；将位于所述衬底上表面的所述牺牲层去除，从而在所述通孔位置获得凸点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
