[发明专利]TSV转接板的制作方法及TSV转接板

权利要求书

1.一种TSV转接板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

获取衬底；

在所述衬底的表面制作牺牲层；

利用光刻和刻蚀技术在所述衬底上制作贯穿所述衬底和所述牺牲层的通孔；

在所述通孔位置制作导电柱和凸点，所述凸点位于所述导电柱的顶端，而且所述凸点的顶部高出所述牺牲层的上表面；

将位于所述牺牲层上表面的材料去除；

将位于所述衬底上表面的所述牺牲层去除，从而在所述通孔位置获得凸点。

2.根据权利要求1所述的TSV转接板的制作方法，其特征在于，所述衬底为硅片。

3.根据权利要求1所述的TSV转接板的制作方法，其特征在于，所述牺牲层为金属钛或SiN或SiO₂。

4.根据权利要求1所述的TSV转接板的制作方法，其特征在于，所述导电柱和所述凸点的制作过程为：

在所述通孔的孔壁上制作阻挡层；

在所述阻挡层的表面制作籽晶层；

用导电的金属材料填充所述通孔，从而形成导电柱；

在所述导电柱的顶端制作所述凸点。

5.根据权利要求4所述的TSV转接板的制作方法，其特征在于，所述阻挡层和所述籽晶层通过物理气相沉积工艺制作。

6.根据权利要求4所述的TSV转接板的制作方法，其特征在于，通过电镀工艺制作所述导电柱，所述导电柱采用金属铜制作。

7.根据权利要求4所述的TSV转接板的制作方法，其特征在于，通过电镀工艺制作所述凸点，所述凸点采用金属铜或含铅的导电材料制作。

8.根据权利要求1所述的TSV转接板的制作方法，其特征在于，利用化学机械研磨的方式去除位于所述牺牲层表面的材料。

9.根据权利要求1所述的TSV转接板的制作方法，其特征在于，利用化学腐蚀的方式将所述牺牲层去除。

10.根据权利要求1所述的TSV转接板的制作方法，其特征在于，在去除所述牺牲层后，通过加热回流方式使所述凸点形成球状的凸点。

11.一种TSV转接板，其特征在于，通过权利要求1-10任意一项所述的制作方法制作而成。