[发明专利]阵列基板和其制造方法以及显示装置有效
申请号: | 201210050164.6 | 申请日: | 2012-02-29 |
公开(公告)号: | CN102646717A | 公开(公告)日: | 2012-08-22 |
发明(设计)人: | 牛菁;刘圣烈 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786;H01L21/77 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 王莹 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及显示技术领域,提供了一种阵列基板和其制造方法以及显示装置。该阵列基板包括:在基板的一面上依次设置的有源层、第一绝缘层、栅极、栅极绝缘层、像素电极和源漏极;其中,所述第一绝缘层仅仅设置在所述有源层的图案上,所述像素电极与漏极直接电连接。本发明中通过采用半曝光工艺,使得有源层、第一绝缘层以及栅极仅通过一次构图工艺处理制得,而像素电极和栅绝缘层的过孔设置也通过一次构图工艺处理制得,最终整个阵列基板通过3-mask完成,简化了生产工艺。同时采用该工艺可以使漏极与像素电极直接电连接,避免了保护层多个过孔的设置,节约了生产成本并提高了产品良率。 | ||
搜索关键词: | 阵列 制造 方法 以及 显示装置 | ||
【主权项】:
一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括:在基板的一面上依次设置的有源层、第一绝缘层、栅极、栅极绝缘层、像素电极和源漏极;其中,所述第一绝缘层仅仅设置在所述有源层的图案上,所述像素电极与漏极直接电连接。
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