[发明专利]阵列基板和其制造方法以及显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：

在基板的一面上依次设置的有源层、第一绝缘层、栅极、栅极绝缘层、像素电极和源漏极；其中，所述第一绝缘层仅仅设置在所述有源层的图案上，所述像素电极与漏极直接电连接。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层为透明氧化物半导体膜。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述透明氧化物为铟镓锌氧化物。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述源漏极通过所述栅极绝缘层和所述第一绝缘层中的过孔与所述有源层电连接。

5.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括步骤：

在基板上依次形成有源层、第一绝缘层和栅极层；进行第一次构图工艺处理，得到包括有源层、第一绝缘层以及栅极的图案；

在经上述处理后的基板上依次形成栅极绝缘层和像素电极层，进行第二次构图工艺处理，得到像素电极和过孔的图案；

形成源漏极层，进行第三次构图工艺处理，得到源漏极图案。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，第一次及第二次构图工艺处理时，采用半透膜或灰度掩膜进行构图。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，第一次构图工艺处理时，在对涂布的光刻胶进行曝光显影后，进行栅极层的第一次刻蚀、第一绝缘层的刻蚀和有源层的刻蚀形成有源层和第一绝缘层的图案；

随后灰化光刻胶，进行栅极层的第二次刻蚀形成包括栅极的图案。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，第二次构图工艺处理时，在对涂布的光刻胶进行曝光显影后，进行像素电极层的第一次刻蚀和栅极绝缘层的刻蚀，得到栅极绝缘层中的过孔；

随后灰化光刻胶，进行像素电极层的第二次刻蚀和第一绝缘层的刻蚀，得到像素电极的图案和第一绝缘层中的过孔。

9.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，形成所述栅极绝缘层和所述第一绝缘层的方法均为采用等离子化学气相沉积法沉积氧化硅，所使用的反应气体中包括硅烷，并且形成所述栅极绝缘层时所使用的硅烷的流量大于形成所述第一绝缘层时所使用的硅烷流量。

10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求1-4中任一项所述的阵列基板。