[发明专利]场效应晶体管的金属栅电极有效
| 申请号： | 201210026682.4 | 申请日： | 2012-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN102903742A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 侯承浩;林秉顺;李达元;于雄飞;周群渊;徐帆毅;陈建豪;许光源 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 公开了一种集成电路制造，更具体而言，公开了具有低电阻金属栅电极的场效应晶体管。用于场效应晶体管的金属栅电极的示例性结构包括由第一金属材料形成的下部，其中所述下部具有凹部、底部和侧壁部，其中每个侧壁部具有第一宽度；以及由第二金属材料形成的上部，其中所述上部具有突出部和本体部，其中所述本体部具有第二宽度，其中所述突出部延伸至凹部内，其中第二宽度与第一宽度的比值为约5至10。本发明还提供了一种场效应晶体管的金属栅电极。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 金属 电极 | ||
【主权项】：
一种用于场效应晶体管的金属栅电极，包括：下部，由第一金属材料形成，其中，所述下部具有凹部、底部和侧壁部，其中每个所述侧壁部具有第一宽度，以及上部，由第二金属材料形成，其中，所述上部具有突出部和本体部，其中所述本体部具有第二宽度，其中所述突出部延伸至所述凹部内，其中所述第二宽度与所述第一宽度的比值是约5至10。
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