[发明专利]具有准同轴电缆结构的隧穿晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201210015260.7 | 申请日： | 2012-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN102569405A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 崔宁;梁仁荣;王敬;许军 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有准同轴电缆结构的隧穿晶体管及其形成方法，该隧穿晶体管包括：具有第一掺杂类型的半导体衬底，所述半导体衬底为源区或漏区；形成在所述半导体衬底上的具有第二掺杂类型的垂直半导体柱，所述半导体柱为漏区或源区；形成在所述半导体衬底上、环绕所述半导体柱侧壁的沟道区；和形成在所述半导体衬底上、环绕所述沟道区侧壁的栅结构。根据本发明实施例的隧穿晶体管可以提高TFET器件的集成度，以及改善TFET器件的驱动能力。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 同轴电缆 结构 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种具有准同轴电缆结构的隧穿晶体管，其特征在于，包括：具有第一掺杂类型的半导体衬底，所述半导体衬底为源区或漏区；形成在所述半导体衬底上的具有第二掺杂类型的垂直半导体柱，所述半导体柱为漏区或源区；形成在所述半导体衬底上、环绕所述半导体柱侧壁的沟道区；和形成在所述半导体衬底上、环绕所述沟道区侧壁的栅结构。
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