[发明专利]一种氧化锌薄膜晶体管的制备方法

摘要

本发明公开了一种氧化锌薄膜晶体管的制备方法，该方法首先利用半导体缓冲层来增加源、漏电极与沟道材料的接触面积，减小源漏接触电阻，然后采用剥离工艺将连续生长的沟道层、栅介质层和栅电极层一起剥离。本发明简化了制造流程，有效减小了源漏端接触电阻，而且关键的沟道层、栅介质层和栅电极层这三层的生长过程完全没有脱离真空环境。本发明提高了器件特性，优化了效率以及成品率。

主权项

一种氧化锌薄膜晶体管的制备方法，包括以下步骤：1)在玻璃衬底上生长一层半导体缓冲层；2)在半导体缓冲层上生长一层透明导电薄膜，然后光刻和刻蚀形成源、漏电极；3)甩一层光刻胶，在源、漏电极之间，且包含部分源漏电极的区域内无光刻胶，其余区域被光刻胶覆盖，然后显影，未被光刻胶覆盖的区域为未来的沟道区；4)溅射生长一层氧化锌及其掺杂的半导体材料层作为半导体导电沟道层；5)在半导体材料层之上生长一层二氧化硅、氮化硅、高介电常数绝缘材料介质层或它们的叠层组合作为栅介质层；6)在栅介质层之上生长一层透明导电薄膜作为栅电极层；7)剥离工艺去除生长在光刻胶之上的半导体材料层、栅介质层和栅电极层；8)生长一层钝化介质层，光刻、刻蚀形成栅、源和漏的引出孔；9)生长一层金属薄膜，光刻和刻蚀形成金属电极和互连。