[发明专利]一种氧化锌薄膜晶体管的制备方法

权利要求书

1.一种氧化锌薄膜晶体管的制备方法，包括以下步骤：

1)在玻璃衬底上生长一层半导体缓冲层；

2)在半导体缓冲层上生长一层透明导电薄膜，然后光刻和刻蚀形成源、漏电极；

3)甩一层光刻胶，在源、漏电极之间，且包含部分源漏电极的区域内无光刻胶，其余区域被光刻胶覆盖，然后显影，未被光刻胶覆盖的区域为未来的沟道区；

4)溅射生长一层氧化锌及其掺杂的半导体材料层作为半导体导电沟道层；

5)在半导体材料层之上生长一层二氧化硅、氮化硅、高介电常数绝缘材料介质层或它们的叠层组合作为栅介质层；

6)在栅介质层之上生长一层透明导电薄膜作为栅电极层；

7)剥离工艺去除生长在光刻胶之上的半导体材料层、栅介质层和栅电极层；

8)生长一层钝化介质层，光刻、刻蚀形成栅、源和漏的引出孔；

9)生长一层金属薄膜，光刻和刻蚀形成金属电极和互连。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1)所生长的半导体缓冲层为氧化锌及其掺杂半导体材料。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2)和步骤7)所生长的导电薄膜是透明导电材料ITO或金属Al、Cr、Mo。