[发明专利]金属氧化半导体P-N 接面二极管及其制作方法

摘要

本发明公开一种具快速反应速度的金属氧化半导体P-N接面二极管及其制作方法。该二极管包含有半导体基板、掩模层、环形边缘层、栅极氧化层、多晶硅结构、中心导接层、氮化硅层、金属扩散层、通道区域以及金属溅镀层。而该方法包含下列步骤：在半导体基板上形成掩模层；在半导体基板上形成栅极氧化层，并于其上形成多晶硅结构；以离子注入制作工艺于半导体基板中形成环形边缘层、中心导接层、通道区域；在中心导接层的部分表面上形成凸出多晶硅结构的氮化硅层；在环形边缘层和中心导接层的内部形成金属扩散层；以及形成金属溅镀层并露出掩模层的部分表面。

主权项

一种具快速反应速度的金属氧化半导体P‑N接面二极管的制作方法，该方法包含下列步骤：提供一半导体基板；进行第一次离子注入制作工艺并进行热驱入，以于该半导体基板中形成一环形边缘层；在该半导体基板上形成一掩模层；在该半导体基板和该环形边缘层的表面上形成一栅极氧化层，并于该栅极氧化层和该掩模层的表面上形成一多晶硅结构，且于该多晶硅结构的表面上形成一多晶硅氧化层；对该多晶硅氧化层、该多晶硅结构和该栅极氧化层进行蚀刻并进行第二次离子注入制作工艺，以形成一中心导接层；进行第三次离子注入制作工艺，以在该中心导接层的侧面形成一通道区域；在该中心导接层的部分表面上形成一氮化硅层；在该掩模层、该多晶硅氧化层、该环形边缘层、该中心导接层和该氮化硅层所露出的表面上形成一金属蒸镀层；对该金属蒸镀层进行扩散处理，以将该金属蒸镀层的材料扩散至该环形边缘层和该中心导接层的内部而形成一金属扩散层后，移除该金属蒸镀层；移除该多晶硅氧化层，并在该掩模层、该多晶硅结构、该环形边缘层、该中心导接层和该氮化硅层所露出的表面上形成一金属溅镀层；以及对该金属溅镀层进行蚀刻，以将该掩模层的部分表面加以露出。