[发明专利]金属氧化半导体P-N 接面二极管及其制作方法

权利要求书

1.一种具快速反应速度的金属氧化半导体P-N接面二极管的制作方法，该方法包含下列步骤：

提供一半导体基板；

进行第一次离子注入制作工艺并进行热驱入，以于该半导体基板中形成一环形边缘层；

在该半导体基板上形成一掩模层；

在该半导体基板和该环形边缘层的表面上形成一栅极氧化层，并于该栅极氧化层和该掩模层的表面上形成一多晶硅结构，且于该多晶硅结构的表面上形成一多晶硅氧化层；

对该多晶硅氧化层、该多晶硅结构和该栅极氧化层进行蚀刻并进行第二次离子注入制作工艺，以形成一中心导接层；

进行第三次离子注入制作工艺，以在该中心导接层的侧面形成一通道区域；

在该中心导接层的部分表面上形成一氮化硅层；

在该掩模层、该多晶硅氧化层、该环形边缘层、该中心导接层和该氮化硅层所露出的表面上形成一金属蒸镀层；

对该金属蒸镀层进行扩散处理，以将该金属蒸镀层的材料扩散至该环形边缘层和该中心导接层的内部而形成一金属扩散层后，移除该金属蒸镀层；

移除该多晶硅氧化层，并在该掩模层、该多晶硅结构、该环形边缘层、该中心导接层和该氮化硅层所露出的表面上形成一金属溅镀层；以及

对该金属溅镀层进行蚀刻，以将该掩模层的部分表面加以露出。

2.如权利要求1所述的金属氧化半导体P-N接面二极管制作方法，其中该半导体基板包含一高掺杂浓度(N+型)的硅基板与一低掺杂浓度(N-型)的外延层。

3.如权利要求1所述的金属氧化半导体P-N接面二极管制作方法，其中该方法包含下列步骤：

在该半导体基板的表面上形成一第一氧化层；

在该第一氧化层上形成一第一光致抗蚀剂层，且定义该第一光致抗蚀剂层具有一第一光致抗蚀剂图案；

根据该第一光致抗蚀剂图案对该第一氧化层进行蚀刻，以将该第一光致抗蚀剂图案转移至该第一氧化层上，并移除蚀刻后的该第一光致抗蚀剂层；

在该半导体基板所露出的表面上形成一第二氧化层并进行所述的第一次离子注入制作工艺；

在该第一氧化层的部分表面上形成一第二光致抗蚀剂层，且定义该第二光致抗蚀剂层具有一第二光致抗蚀剂图案；以及

根据该第二光致抗蚀剂图案对该第一氧化层和该第二氧化层进行蚀刻，以将该第二光致抗蚀剂图案转移至该第一氧化层上而形成该掩模层，并移除蚀刻后的该第二光致抗蚀剂层。

4.如权利要求1所述的金属氧化半导体P-N接面二极管制作方法，其中该方法包含下列步骤：

在该多晶硅氧化层上形成一第三光致抗蚀剂层，且定义该第三光致抗蚀剂层具有一第三光致抗蚀剂图案；以及

根据该第三光致抗蚀剂图案对该多晶硅氧化层、该多晶硅结构和该栅极氧化层进行蚀刻，以将该第三光致抗蚀剂图案转移至该多晶硅氧化层、该多晶硅结构和该栅极氧化层上，并移除蚀刻后的该第三光致抗蚀剂层。

5.如权利要求1所述的金属氧化半导体P-N接面二极管制作方法，其中该多晶硅结构以化学气相沉积制作工艺于该栅极氧化层和该掩模层的表面上形成。

6.如权利要求1所述的金属氧化半导体P-N接面二极管制作方法，其中该方法包含下列步骤：

进行化学气相沉积制作工艺，而于该掩模层、该多晶硅氧化层、该多晶硅结构、该栅极氧化层、该环形边缘层和该中心导接层所露出的表面上形成一沉积层；以及

对该沉积层进行蚀刻，以露出该掩模层的表面、并露出该多晶硅氧化层、该环形边缘层和该中心导接层的部分表面，而形成该氮化硅层。

7.如权利要求1所述的金属氧化半导体P-N接面二极管制作方法，其中该方法包含下列步骤：

在该掩模层、该多晶硅结构、该环形边缘层、该中心导接层和该氮化硅层所露出的表面上进行金属溅镀制作工艺，以形成一第一金属层；

进行快速热制作工艺，以修正金属溅镀制作工艺的结果；以及

在该第一金属层上进行金属溅镀制作工艺，以形成一第二金属层，而该第一金属层和该第二金属层构成为该金属溅镀层。