[发明专利]一种栅氧刻蚀方法和多栅极制作方法有效
| 申请号： | 201110414386.7 | 申请日： | 2011-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN103165437A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 陈亚威 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮;李辰 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种栅氧刻蚀方法以及多栅极制作方法。该栅氧刻蚀方法通过控制BOE的过刻时间，使BOE的过刻时间小于主刻蚀时间的30％，并配合APM的浓度配比，能够在将栅氧刻蚀干净的情况下，减少对衬底表面的损伤。同时，将本发明的栅氧化物刻蚀方法运用到多栅极制作方法中时，能够减少颗粒物缺陷的产生，从而大大提高多栅极器件的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 方法 栅极 制作方法 | ||
【主权项】：
一种栅氧刻蚀方法，该刻蚀方法用于去除光刻工艺中没有被光刻胶覆盖的栅氧化层，其特征在于：所述刻蚀方法为湿法刻蚀，包括步骤：主刻蚀，采用氟化氨和氟化氢的混合液为刻蚀液，对栅氧化层进行刻蚀，主刻蚀时间由栅氧化层的厚度而定；主过刻，采用和上述主刻蚀相同的刻蚀液进行刻蚀，主过刻时间小于主刻蚀时间的30％；第一辅刻蚀，采用硫酸和双氧水的混合液为刻蚀液，对上述主过刻之后的栅氧化层进行清洗，以去除栅氧化层上的光刻胶有机物；第二辅刻蚀，采用氢氧化氨、双氧水和水的混合液为刻蚀液，对上述第一辅刻蚀之后的栅氧化层进行清洗，以去除残余光刻胶和无机颗粒物，其中，所述氢氧化氨、双氧水和水的比例为1∶2∶10。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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