[发明专利]制造半导体装置的方法有效
| 申请号： | 201110402768.8 | 申请日： | 2011-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN102569173A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 朴炳律;崔吉铉;方硕哲;文光辰;林东灿 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩芳;刘灿强 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制造半导体装置的方法。在制造半导体装置的方法中，准备具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的基底。在基底的将形成贯通电极的区域中形成牺牲层图案。牺牲层图案沿基底的厚度方向从基底的第一表面延伸。在基底的第一表面上形成上部布线层。上部布线层包括位于牺牲层图案上的布线。将基底的第二表面部分地去除以暴露牺牲层图案。从基底的第二表面去除牺牲层图案，以形成暴露布线的开口。在开口中形成要电连接到布线的贯通电极。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体装置的方法，所述方法包括以下步骤：准备具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的基底；在基底的将形成贯通电极的区域中形成牺牲层图案，所述牺牲层图案沿基底的厚度方向从基底的第一表面延伸；在基底的第一表面上形成上部布线层，所述上部布线层包括位于牺牲层图案上的布线；将基底的第二表面部分地去除以暴露牺牲层图案；从基底的第二表面去除牺牲层图案，以形成暴露所述布线的第一开口；以及在第一开口中形成要电连接到所述布线的贯通电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
