[发明专利]应力记忆作用的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110388942.8 | 申请日： | 2011-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102420191A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 周军;傅昶 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/336;H01L21/321;H01L27/092 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种应力记忆作用半导体器件的制造方法，包括：在半导体衬底上形成栅氧化层和栅极；在NMOS区域和PMOS区域上沉积疏松多孔的侧墙层，之后形成侧墙；在PMOS区域上形成第一光刻胶层，对NMOS区域进行N+离子注入，并去除NMOS区域上的侧墙；在NMOS区域上形成第二光刻胶层，对PMOS区域进行P+离子注入；在NMOS区域和PMOS区域上形成缓冲氧化层和高应力氮化硅层；进行尖峰退火工艺，去除缓冲氧化层、高应力氮化硅层以及PMOS区域上的侧墙。本发明还提供了利用该制造方法的半导体器件。本发明提供的制造方法，采用疏松多孔结构的侧墙，在应力作用下产生形变，释放应力，使应力不会传导到PMOS区域的导电沟道中去，避免PMOS器件的性能下降，同时能够提高NMOS器件的电子迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 应力 记忆 作用 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种应力记忆作用半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：在具有PMOS区域和NMOS区域的半导体衬底上形成栅氧化层和栅极；在所述NMOS区域和所述PMOS区域上沉积疏松多孔的侧墙层，并对所述侧墙层进行垂直于所述半导体衬底表面方向的定向刻蚀以形成侧墙；在PMOS区域上形成第一光刻胶层，对NMOS区域进行N+离子注入，并去除NMOS区域上的所述侧墙；去除所述第一光刻胶层；在NMOS区域上形成第二光刻胶层，对PMOS区域进行P+离子注入；去除所述第二光刻胶层；在所述NMOS区域和所述PMOS区域上形成缓冲氧化层和高应力氮化硅层；进行尖峰退火工艺，去除所述缓冲氧化层、所述高应力氮化硅层以及所述PMOS区域上的所述侧墙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
